三平面测试装置中，一个有源内导体被两个外平面夹在中间，产生的阻抗可通过计算得到。被测模块放置于中心导体和一个外平面之间，中心导体的另一面置空。由于整个测试装置的结构是对称的，因此可在置空的这一面与EUT呈镜像位置的地方放置一个场强探头。和TEM单元测试一样，带状线测试和三平面测试装置均有一个受其尺寸限制的频率上限。在等于或高于由该理尺寸决定的谐振频率时，就会产生不受控制的电磁场高次模。这三种方法相对于辐射天线法的优势就在于，采用这三种方法时，只需要不多的功率就能够产生比辐射天线法大得多的场强，因为场强等于导体平面之间的电压除以它们之间的距离。
传导干扰测试
第二类测试方法叫做传导干扰测试，它不需在被测模块放置之处施加电磁场，而是直接将RF干扰施加在电缆装置或接入被测部件模块的装置中。这样一来，随着RF电流在电路结构（例如一块印制电路板PCB）中传输，部件模块与外部装置的连接处就会产生一个电流，从而在电子线路中造成干扰。这种方法与辐射场测试法虽然结果类似，但二者之间没有任何等同之处，因此这两种方法都常用于进行完整测试，有时两种测试的频率范围还有重叠。传导干扰测试最常采用的两种耦合方法有电流注入法（bulk current injection，BCI）和直接注入法，前者需要向EUT中注入干扰电流，并控制注入电流的大小，后者则注入功率并控制注入功率的大小。
表1：TEM单元法的频率上限。
电流注入法（BCI）
BCI法在ISO 11452-4和SAE J1113/4中均有描述，采用该方法时，将一个电流注入探头放在连接被测件的电缆装置之上，然后向该探头注入RF干扰。此时，探头作为第一电流变换器，而电缆装置作为第二电流变换器，因此，RF电流先在电缆装置中以共模方式流过（即电流在装置的所有导体上以同样的方式流通），然后再进入EUT的连接端口。
真正流过的电流由电流注入处装置的共模阻抗决定，而在低频下这几乎完全由EUT和电缆装置另一端所连接的相关设备对地的阻抗决定。一旦电缆长度达到四分之一波长，阻抗的变化就变得十分重要，它可能降低测试的可重复性（见图2）。此外，由于电流注入探头会带来损耗，因而需要较大的驱动能力才能在EUT上建立起合理的干扰水平。尽管如此，BCI法还是有一个很大的优点，那就是其非侵入性，因为探头可以简单地夹在任何直径不超过其最大可接受直径的电缆上，而不需进行任何直接的电缆导体连接，也不会影响电缆所连接的工作电路。
