F=0.35/Tr，其中：F是频率，单位是GHz；Tr是单位为ns（纳秒）的信号上升时间或者下降时间。
从上述公式中不难看出，如果电路的开关频率为50MHz，而采用的集成电路芯片的上升时间是1ns，那么该电路的最高EMI发射频率将达到350MHz，远远大于该电路的开关频率。而如果IC的上升时间为500ps，那么该电路的最高EMI发射频率将高达700MHz。众所周知，电路中的每一个电压值都对应一定的电流，同样每一个电流都存在对应的电压。当IC的输出在逻辑高到逻辑低或者逻辑低到逻辑高之间变换时，这些信号电压和信号电流就会产生电场和磁场，而这些电场和磁场的最高频率就是发射带宽。电场和磁场的强度以及对外辐射的百分比，不仅是信号上升时间的函数，同时也取决于对信号源到负载点之间信号通道上电容和电感的控制的好坏，在此，信号源位于PCB板的IC内部，而负载位于其它的IC内部，这些IC可能在PCB上，也可能不在该PCB上。为了有效地控制EMI，不仅需要关注IC芯片自身的电容和电感，同样需要重视PCB上存在的电容和电感。
当信号电压与信号回路之间的耦合不紧密时，电路的电容就会减小，因而对电场的抑制作用就会减弱，从而使EMI增大；电路中的电流也存在同样的情况，如果电流同返回路径之间耦合不佳，势必加大回路上的电感，从而增强了磁场，最终导致EMI增加。换句话说，对电场控制不佳通常也会导致磁场抑制不佳。用来控制电路板中电磁场的措施与用来抑制IC封装中电磁场的措施大体相似。正如同PCB设计的情况，IC封装设计将极大地影响EMI。
电路中相当一部分电磁辐射是由电源总线中的电压瞬变造成的。当IC的输出级发生跳变并驱动相连的PCB线为逻辑“高”时，IC芯片将从电源中吸纳电流，提供输出级所需的能量。对于IC不断转换所产生的超高频电流而言，电源总线始于PCB上的去耦网络，止于IC的输出级。如果输出级的信号上升时间为1.0ns，那么IC要在1.0ns这么短的时间内从电源上吸纳足够的电流来驱动PCB上的传输线。电源总线上电压的瞬变取决于电源总线路径上的电感、吸纳的电流以及电流的传输时间。电压的瞬变由下面的公式所定义：
V=Ldi/dt，其中：L是电流传输路径上电感的值；di表示信号上升时间间隔内电流的变化；dt表示电流的传输时间（信号的上升时间）。
由于IC管脚以及内部电路都是电源总线的一部分，而且吸纳电流和输出信号的上升时间也在一定程度上取决于IC的工艺技术，因此选择合适的IC就可以在很大程度上控制上述公式中提到的所有三个要素。
IC封装在电磁干扰控制中的作用
IC封装通常包括：硅基芯片、一个小型的内部PCB以及焊盘。硅基芯片安装在小型的PCB上，通过绑定线实现硅基芯片与焊盘之间的连接，在某些封装中也可以实现直接连接。小型PCB实现硅基芯片上的信号和电源与IC封装上的对应管脚之间的连接，这样就实现了硅基芯片上信号和电源节点的对外延伸。贯穿该IC的电源和信号的传输路径包括：硅基芯片、与小型PCB之间的连线、PCB走线以及IC封装的输入和输出管脚。对电容和电感（对应于电场和磁场）控制的好坏在很大程度上取决于整个传输路径设计的好坏。某些设计特征将直接影响整个IC芯片封装的电容和电感。
