自举升压是利用电容的电压不能突变的原理来实现的。
自举电路说明
图例中芯片内的MOS管是电压驱动的。该电路的拓扑为BUCK型电路，即降压电路，MOS管的栅极G和源极S之间需要加一正电压，该管子才能导通，导通后该芯片的PV1与LX1脚的电压近似相等。假设PV1的电压是30V，MOS管安全导通的电压为15V，那么当MOS管导通后，MOS管的栅极和源极之间要保持15V电压，那么栅极与参考地之间的电压就需要45V，显然一般的控制电路中不会再弄个45V的电源。
针对这一问题，一个比较方便的方案就是采用自举技术。这里对图片作了一些说明，如下图所示：
题主原图中的红色箭头我想应该是指自举电容的充电路径。这里我对该电流的路径从从续流二极管D1的阴极流入，然后从阳极流出这一点不是很认同。但是我现在还没有想明白该电流从自举电容负端流出后会从哪条路径走还不是太明白。若有了解的朋友请留言诉我。
对于BUCK电路，当MOS截止时电感L1的电流通过二极管D1续流，因此D1的阴极电路约为-0.7V左右。电源将通过自举二极管给自举电容充电，因些自举电容上的电压约等于电源电压。
MOS开通前，自举电容两端的电压切入MOS管的GS上，MOS管导通，LX1的电压跳变为约等于PV1脚上的电压。由于自举电容两端的电压不能突变，因此在MOS管导通期间，自举电容两端的电压始终保持在约等于电源电压，而电容正端，即BST脚的电压将超过电源电压。
自举二极管的作用就是防止电容上的电荷反灌进电源。
上图中蓝色箭头所指就是自举电容的放电路径，在电路工作期间，自举电容被循环充电放电，因此该电容两端的电压是在上下波动的，该波动范围与电路的工作频率及该电容的大小有关。在设计电路参数时需要考虑电容两端电压的最小值要大于MOS管开通的最低电压值，不然MOS的损耗会变大，影响使用寿命。
