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LEDs相关技术文章LED外延片成长工艺是怎么一回事
今天来探讨LED外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个6？的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型VLSI，每一个8？的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动？投资数百亿，但却是所有电子工业的基础。
硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍：
长晶主要程式：
1、融化（MELtDown）
此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率来融化复晶硅，石英坩锅的寿命会降低，反之功率太低则融化的过程费时太久，影响整体的产能。
2、颈部成长（Neck Growth）
当硅融浆的温度稳定之后，将方向的晶种渐渐注入液中，接着将晶种往上拉升，并使直径缩小到一定（约6mm），维持此直径并拉长10-20cm，以消除晶种内的排差（dislocation），此种零排差（dislocation-free）的控制主要为将排差局限在颈部的成长。
3、晶冠成长（Crown Growth）
长完颈部后，慢慢地降低拉速与温度，使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。
4、晶体成长（Body Growth）
利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径，所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高度，于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增加，此辐射热源将致使固业介面的温度梯度逐渐变小，所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低，以避免晶棒扭曲的现象产生。
5、尾部成长（Tail Growth）
当晶体成长到固定（需要）的长度后，晶棒的直径必须逐渐地缩小，直到与液面分开，此乃避免因热应力造成排差与滑移面现象。
切割：
晶棒长成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片， 圆片，是半导体元件“芯片或“芯片的基材，从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱 （Crystal Ingot）上，所切下之圆形薄片称为外延片（外延片）。
