今天小编要和大家分享的是DRAM特点及发展趋势 DRAM产业，接下来我将从DRAM特点及发展趋势，DRAM产业，DRAM市场，这几个方面来介绍。
DRAM即动态随机存储器最为常见的系统内存。为了保持数据， 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，刷新的必要性与DRAM的结构有关，DRAM是靠其内部电容电位来记录其逻辑值的，但是电容因各方面的技术困难无可避免的有显著的漏电现象（放电现象）而使电位下降，于是需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定。
DRAM特点及发展趋势
1、DRAM市场下滑
2011年很可能是NAND之年，而不是DRAM之年。平板电脑已经开始吞噬低端笔记本/上网本市场。在这种情况下，DRAM容量达2GB的小型笔记本电脑已被平板电脑取代，而后者仅提供256Mb或1/8大小的容量。因此，DRAM供应过剩。
2、采用30nm节点工艺
总体而言，所有厂商正在迁移到各种形式的3xnm中来。三星和海力士都迁移到了3xnm。有趣的是，尔必达也试图实现从65nm或65xS（65nm的缩小版）到3xnm的飞跃，力争大幅度降低成本。
3、韩国制造商垄断市场
与呈现分级局面的NAND市场不同，DRAM市场则存在被韩国制造商垄断的风险。目前，在前端（利润最大的技术）只有三星和海力士称得上是一级厂商，而美光、南亚、华亚（资金、技术略微落后）属于二级厂商，尔必达、力晶、瑞晶（技术、资金比较落后，但寻求实现重大飞跃）属于三级厂商。
对于DRAM市场，三星优势明显。他们还专注于制造30nmDRAM所需的（阿麦斯公司）NXT（微影）工具市场。三星在这一年成功地增加了他们在DRAM市场的份额。相比全球DRAM市场大约45%～50%的增长率，三星实现了近70%的增长率。
海力士是一家知名的DRAM厂商，仅次于三星。目前唯一的问题在于债务负担和所有制结构，我们希望这些问题会在2011年得到解决。海力士在韩国M10晶圆厂和无锡（中国）生产4xnm和3xnm的DRAM，紧随三星之后。随着明年海力士从8F2架构移动到6F2架构，我们将会看到他们取得更大的成功。
4、美光阵营的艰难时期
曾几何时，美光似乎也跻身到一级厂商的阵营中，事实上，在2009年间美光已被评定为一级厂商，但这是依赖于他们完美地进行了DRAM电容规格过渡而实现的。2010年初的大批订单开了个好头，但所带来的收益却不够充足，全年的增长率也开始下降。
沟槽式到堆栈式的过渡并不十分顺利（对于美光的台湾合作伙伴而言）。南亚和华亚仍旧在努力生产50nm的DRAM，对于我们所期待的向40nm和30nm转变将十分困难。但至少随着沟槽式到堆栈式过度的完成，明年的情况或许会有所改观。因此，或许今年可以被记录一个学习曲线，随着明年美光与其合作伙伴南亚以及华亚拥有取得进展的必要资金，都将实现4xnm和3xnm的转变。迹象表明，2011年美光能够指导他们2/3的资本支出投向NAND。
5、尔必达的压赌
尔必达已经尽其所能争取回到主要DRAM厂商的地位。首先，台湾政府对DRAM的经济援助并未成功，但瑞晶、丽晶与茂德公司的合作关系依旧保持。现在，尔必达正努力提高在日本和台湾金融市场的融资。此外，在技术方面该公司推出了65nmXS，一个缩小的65nmDRAM芯片版本，这种芯片可使其在DRAM价格持续上升时仍能获得利润。另外，该公司正在努力实现40nm和30nm的飞跃。
DRAM产业
南亚科表示，DRAM产业目前面临的最大风险不是汇率，而是售价过低，不讳言央行阻升新台币的策略对出口商而言较有利，但汇率问题牵扯层面复杂，还是考量整体经济面。
再者，南亚科也表示，其实真正的成交价格都是以每天平均的汇率计算，而不是每天最后一盘，但在收入和支付多数以美金为主的交易模式下，其实影响营运相当小，第4季营收顶多影响1~2%。
汇率波动对于营运最直接的影响，主要是造成DRAM厂营收下降，新台币兑美元每升值1%，营收将减少1%，DRAM厂预估第4季汇率波动影响营收的幅度也仅约1~2%;最主要牵动DRAM厂营收的因素仍是在报价，以DRAM产业报价每日都在浮动的特性，经常动不动一天就跌掉2~3%。
从另一角度来看，新台币升值对于现在持续在买机台设备的DRAM厂则是相对有利，采购机器设备都是以美元计价，美元走弱有利于台厂添购新机台设备;目前茂德、瑞晶、南亚科、华亚科、茂德等几乎每一家DRAM厂都持续在采购机台设备。
整体来看，DRAM厂平常买卖交易都是以美元计价，包括封装测试费用、研发费用、与代工厂间的进货买卖等，收支相抵之后的曝显部位有限，若加计买机台设备的优势相互抵掉，真正对营运的冲击有限。
但以长远竞争力来看，现在1颗1Gb3报价不到1美元，换算回台币如果30元不到，DRAM厂还是亏钱在卖，汇率虽然不是让DRAM业者竞争力削弱的主要原因，但新台币如果持续强势升值，恐怕也是会让DRAM厂越卖越心酸，且更加助长三星柯断全球DRAM产业的气焰。
DRAM市场
MESResearch分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星(SamsungElectrics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举亦让自2006年以来全球DRAM产业扩厂竞赛划下句点。
正因产能扩充有限，并伴随2009年第一季全球景气见到最低点且逐季好转，全球DRAM需求量亦同步扩张，使得长年下跌的DRAM报价亦在2009年得以止跌回升。于此同时，全球DRAM市场的另一件大事则为DDR2与DDR3的世代交替。柴焕欣说明，事实上，早在2007年三星就采70纳米制程生产DDR3，但当时全球DRAM市场陷入供过于求阴霾中，刚问世的DDR3价格自然不具竞争力，市场渗透率始终无法突破5%。
但在2009年三星率先跨入5x纳米世代制程后，成本竞争力大幅提升，使得DDR3价格开始向DDR2靠拢，甚至低于DDR2，加速DDR3在pC市场渗透率，2010年第二季时，DDR3占DRAM市场出货比重已达51%，稳居市场主流地位。
展望2010年下半，柴焕欣认为，受欧债风暴冲击，为全球经济加入不确定因子，加上以南韩为首的DRAM厂商先进制程转换所增加的产能将大量开出，亦为全球DRAM市场蒙上一层供过于求的阴影。2009年以来DRAM市场荣景是否得以延续，或是将进入另一波衰退的景气循环，2010年下半将是重要观察点。
关于DRAM,电子元器件资料就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。
