今天小编要和大家分享的是NPN型三极管结构 NPN型三极管主要参数，接下来我将从NPN型三极管结构，NPN型三极管的主要参数，NPN型三极管判断方法，这几个方面来介绍。
NPN型三极管是较为常用的一种三极管，由两块N型半导体和一块P型半导体构成，也可以描述成,电流从发射极E流出的三极管。NPN型三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用)。
NpN型三极管结构
NpN型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图所示，p型半导体在中间，两块N型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个pN结，形成三个区，中间部分成为基区，相连电极成为基极，用b表示，两侧分别是发射区和集电区，相连电极分别为发射极和集电极。在基极与集电极之间的pN结称为集电结，在基极与发射极之间的pN结称为发射结。
NpN型三极管的主要参数
1.电流放大倍数/β和β
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。
共射直流电流放大倍数：
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为DIB，相应的集电极电流变化为DIC，则交流电流放大倍数为：
2.集-基极反向截止电流ICBO
ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。
3.集-射极反向截止电流ICEO
ICEO=βIBE+ICBO
ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。
4.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的β值的下降，当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICEO。
5.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25℃、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。
6.集电极最大允许功耗pCM
NpN型三极管判断方法
NpN型三极管的测量如图所示。将负表笔接三极管的某一管脚，正表笔分别接另外两个管脚，测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小，且为5kΩ左右时，则负表笔所接管脚即为NpN型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大，可将负表笔另接一管脚再试，直到两阻值均较小为止。
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