今天小编要和大家分享的是齐纳击穿原理 齐纳击穿应用，接下来我将从齐纳击穿的原理，齐纳击穿的应用，这几个方面来介绍。
当PN结两边的掺杂浓度很高时，阻挡层将变很薄，在这种阻挡层中，载流子与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞 ... 显然，场致激发能够产出大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象，这种击穿称为齐纳击穿(因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。
齐纳击穿的原理
齐纳击穿的物理过程与雪崩击穿不同。当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子-空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿。把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的pN结中。这是因为掺杂浓度较高的pN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。
一般说来，击穿电压小于6V时所发生的击穿为齐纳击穿，高于6V时所发生的击穿为雪崩击穿。
齐纳击穿的应用
利用齐纳击穿可做成或电压基准元件使用.
稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压.
关于齐纳击穿,电子元器件资料就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。
