增加MOSFET的死区时间,可以提供足够的二极管反向恢复时间同时降低高dv/dt, di/dt 对LLC电路造成的风险。但是增加死区时间是唯一的选择么?下面我们进一步分析如何够降低风险提升系统效率。

llc电路实现zvs的方式公式

图1

对于LLC 电路来说死区时间的初始电流为

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而LLC能够实现ZVS必须满足

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而最小励磁电感

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根据以上3个等式,我们可以通过以下三种方式让LLC实现ZVS.

第一, 增加Ipk.

第二, 增加死区时间。

第三, 减小等效电容Ceq即Coss.

从以上几种状况,我们不难分析出。增加Ipk会增加电感尺寸以及成本,增加死区时间会降低正常工作时的电压,而最好的选择无疑是减小Coss,因为减小无须对电路做任何调整,只需要换上一个Coss相对较小MOSFET即可。