三极管放大电路具体是怎么计算的
R1=24K, R2=1.5K, R3=1K, Rl=2K.
三极管的特性表是决定它静态电压(Vce) 对电流(Ic) 的关系. 而静态电流放大系数则是三极管放大器必需的设计参数.
若看基极的偏压, VA=12V x [1.5/(1.5+24)] = 0.7V.
三极管正向偏压最少要0.6V 才导通, 令集电极电流(=基极电流 x 电流放大系数) 流通, 假设电流放大系数是50, Vbe=0.6V, 则三极管发射极电流(约等於集电极电流)=(0.7-0.6)V / 1K=0.1mA.
故此基极电流 Ib = Ic /电流放大系数 = 0.1 / 50 = 0.002mA.
开路电压UA=[R2/(R1+R2)]Ucc-Ube=[8.2/(20+8.2)]x12V-0.7V=3.489V-0.7V=2.789V。
R1//R2=8.2//20k=5.8156k
Ib=UA/(R1//R2+βR3)
假设晶体管β=100，则
基极电流Ib=2.789V/(5.8156k+100X1k)=2.789V/105.8156k=0.0264mA
集电极电流Ic=βIb=100X0.0264mA=2.64mA
集电极电压Uc=Ucc-RLIc=12-2kX2.64mA=6.72V
若晶体管β不是100，你可将β值代到上边再计算Ib、Ic和Uc
三极管放大电路计算
三极管放大电路计算
三极管音频放大电路
你用的话筒应该是驻极体话筒吧？这种话筒的输出端实际上是它内部一个MOSFET管的漏极与源极，而且是有方向的，源极接地，漏极接一个偏置电阻到电源正极。你量到的不
一定就是它在工作时的电阻。说明白一点就是话筒内部集成了一级相当于三极管的放大电路，但是它用的不是三极管，而是场效应管，因为电容式话筒的输出电阻非常大，无法直
接带动放大电路的输入端，所以必须加一级放大电路在里面以降低输出电阻。但是场效应管也需要电源才能工作，这样就要一个偏置电阻给它供电。电源电压为3V-6V时，这个电阻
一般选为2K-5K之间。
按照你图中的电路是不对的，因为话筒两端的电压直接给三极管的B-E极限制在0.6V左右了，因为三极管的B-E极就是这个电压，这样子话筒的工作是不正常的，必须在三极管
的输入端串联一个电容以隔离开话筒的偏置电流被三极管的基极影响。
还有，三极管的放大倍数指的是电流放大倍数，而不是电压放大倍数！算一下你的这个放大电路偏置是不是正常的，由于你没有给出9014的放大倍数是多少，在这里就设为100
。话筒的工作电压被限制在0.68V，几乎没有分流，流经5.6K电阻的电流全部经过三极管的基极，这个电流是：
(3.7V-0.68V)/5.6K=0.54mA
这个电流经过三极管放大后，集电极的电流是：
0.54mA*100=54mA
但是这个集电极电流不一定就有54mA，还要看电源给不给它这么多的电流！请注意一下，集电极串有一个430欧的电阻，就算直接把430欧电阻并联在电源电压两端，通过电阻的电
流也才有（3.7V/0.43K=）8.6mA，远远达不到54mA，三极管的集电极如果要不到那么多的电流它就会进入饱和状态，C-E极的饱和电压为0.1V左右，饱和了就不能正常工作了！就算
三极管不饱和，你直接把30欧的喇叭并联在三极管的C-E极也是不行的，因为这样是一个430欧电阻与一个30欧电阻分压了，在喇叭两端也只有0.2V左右的电压，这样也不能让三极
管正常工作！要用一个电容串联在喇叭上，以隔离开流经喇叭的直流电！
我下面给出了两种电路，第一种输出功率大一点，偏置电路设置简单，缺点就是喇叭一直通有直流电流，会把喇叭的纸盆一直推向一边，这样会限制一定的振幅，如果直流电
流过大会把喇叭烧坏，但是在40mA以下是没有问题的。调试时最好用电流表量一下集电极的电流，如果过大，就把Rb加大一点，让电流变小。图中的集电极电流大约为10mA，也即
流经喇叭的电流为10mA，因为流经基极的电流约为0.1mA（计算过程是：电源电压-Ube的差再除以Rb=(3.7-0.65)/30K=0.1mA），放大倍数是100，把0.1mA*100=10mA,这就是集电极
的电流。（注意：因为这种放大电路没有反馈电路，它的放大倍数会随温度而改变，这个集电极电流会有所变化。）
第二种输出功率小一点，因为它的输出功率被Rc的大小限制了，而且它的偏置电路的计算比第一种略为复杂一点。这种电路的最佳工作点还要看喇叭的电阻大小才能定下来，
为了简单起见，就把C-E极的工作电压设为电源电压的一半。如何让C-E两端的电压刚好等于电源电压的一半，计算过程是：
一般9014的集电极电流最大为50mA左右，这里取10mA。电源的一半等于3.7V/2=1.85V,从原理图上可知，C-E极的电压也等于电阻Rc上的电压，因为等于电源的一半，所以是相等的
。那么只要求出电阻值就可确定出C-E极的电压，Rc=3.7V/2/10mA=0.185K=185R。下面再求Rb，在Rb之前要先求出基极电流Ib，Ib=集电极电流/放大倍数=10mA/100=0.1mA。Rb=(电
源电压-Ube)/Ib=(3.7V-0.65)/0.1mA=30.5K约等为30K。
三极管的放大电路是哪一端是输入和输出还输入输出回路图
简单说基极是输入，发射极和集电极都可以作为输出，要看做什么用。三极管在应用中，可组成共E、共C、共B接法三种放大电路。输入、输出端如下：共E接法：B进C出。共C接法：B进E出。共B接法：E进C出。
三极管：
半导体三极管(Bipolar JunctionTransistor)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
扩展资料：
这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升。
但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
参考资料来源：百度百科-三极管
三极管放大电路请教
这两个电路都是共发射极电路，第一图的电路是最简单的电路形式，由Vcc通过R2给三极管Q1提供直流静态工作点；而第二图增加了发射极负反馈电阻R6，Q2的晶体工作点也改由和R4和R5的分压提供基极电压来提供。具体计算公式：图一，Ib=（Vcc-0.7）/R2；图二，Ib=[R5*Vcc/（R4+R5）-0.7]/R6。
增加了负反馈以后，一方面会使电路的性能更稳定一些，对温漂有一定的抑制作用，另一方面，图一的基极静态电位只有0.7V左右，在输入信号幅值稍大的情况下就容易出现负半周截止失真，而图二由于有了发射极负反馈电阻，，发射极和基极的静态电位都被提高，可以增大输入信号的动态范围而不易出现失真。
至于发射极负反馈电阻对电路增益的影响，完全可以通过增大集电极电阻R3的阻值来补偿，是不必担心的。
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