场效应管测量
如果不用电路只用万用表测量的话,先用电阻档测,G和S之间,G和D之间的正反向电阻都是无穷大,有短路说明击穿。
D和S之间分NMOS和PMOS两种情况,使用二极管档,测量之前先把G和S相连,对于NMOS,红笔接D,黑笔接S,应显示无穷大;红笔接S,黑笔接D,应显示二极管导通压降0.7V左右(MOS寄生二极管效应);对于PMOS,红笔接S,黑笔接D,应显示无穷大;红笔接D,黑笔接S,应显示二极管导通压降0.7V左右。如果有显示短路或开路即说明管子损坏。
上述是用万用表的基本测量,可以测量管子有无开路和短路。也可以用电路进一步测量管子的控制功能。
左边是NMOS,电路如图连接,开关断开时,G极输入低电平,NMOS截止,用电压档测量DS电压应为10V;开关闭合后,G极输入高电平,NMOS导通,测量DS电压应接近0V。
右边是PMOS,开关断开时,G极输入高电平,PMOS截止,测量SD电压应为10V;开关闭合后,G极输入低电平,测量SD电压应接近0V。
场效应管的测量方法。
朋友,你参考一下下面这些。场效应管的识别方法及测量 一、</B>符号: “Q、VT” ,场效应管简称FET,是另一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流的,是电压控制器件
场效应管分三个极:
D极为漏极(供电极)
S极为源极(输出极)
G极为栅极(控制极)
D极和S极可互换使用
场效应管图例:
二、场效应管的分类:
场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的P沟道,结型管和耗尽型管几乎不用。
三、场效应管的特性:</B>
1、工作条件:D极要有供电,G极要有控制电压
2、主板上的场管N沟道多,G极电压越高,S极输出电压越高
3、主板上的场管G极电压达到12V时,DS完全导通,个别主板上5V导通
4、场管的DS功能可互换
N沟道场管的导通截止电压:
导通条件:VG>VS,VGS=0.45--3V时,处于导通状态,且VGS越大,ID越大
截止条件:VG<VS,ID没有电流或有很小的电流
四、场效应管的作用:
放大、调制、谐振、开关
五、场效应管的测量及好坏判断
1、测量
极性及管型判断
红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道
红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道
如果先没G、D再没S、D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿
贴片场管与三极管难以区分,先按三极管没,如果不是按场管测
场管测量时,最好取下来测,在主板上测量会不准
2、好坏判断
测D、S两脚值为(300-800)为正常,如果显示“0”且长响,场管击穿;如果显示“1”,场管为开路
软击穿(测量是好的,换到主板上是坏的),场管输出不受G极控制。
六、场管的代换原则</B>(只适合主板)
场管代换只需大小相同,分清N沟道P沟道即可
功率大的可以代换功率小的
技嘉主板的场管最好原值代换
七、</B>主板上常见的场管型号
N沟道:
702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF
中等大小的场管:3055、09N05、40N03、45N03
外型较大的场管:L3103S、K3296、K3289、6030、7030
55N03、76139D、76129S、10N03、15M03
F827、F841、BPS100
P沟道:
352A、356
场效应管怎么测量好坏
万用表10K 正极接D ;负极接S 用手去碰G。万用表读数有变化说明是好管子,没有读数为坏!
场效应管的测量方法哪些
可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。
场效应管的测量方法
电阻法测电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个
电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是P沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。
电阻法测好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。
测放大能力
用感应信号法具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。
根据上述方法,用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
无标示管的判别
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下
两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是S极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
判断跨导的大小
测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。
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