各种场效应管的工作条件
场效应管FET种类比三极管BJT多得多。这里以与NPN型BJT相似的N沟道FET为例聊一聊各种场效应管的工作条件。
JFET及耗尽型MOSFET：漏极D加正电源，源极S接地，栅极G在零电压左右摆动时管子都工作，栅极G电压很负时即低于夹断电压时截止；
增强型MOSFET：漏极D加正电源，源极S接地，栅极G电压小于开启电压时截止，栅极G大于开启电压时管子工作。
会用NPN型BJT管子了自然很快会用PNP型BJT管子。
会用N沟道FET管子了自然很快会用P沟道FET管子。
请问场效应管在什么条件下才会工作
在符合工作条件下才会工作。
具体是指有符合条件的工作电源，有合适的负载回路，还必须有稳定的控制电路，这些外部条件具备，场效应管才能工作。
场效应管的工作原理
场效应管的工作原理：
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的 强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
特点：
场效应管与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点：
1、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
2、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
3、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
4、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
5、场效应管的抗辐射能力强；
6、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
作用：
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变 电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
请问场效应管的工作条件
场效应管一般工作在开关状态，即在饱和和截止区之间转换。
具体要求一般是：
栅极（G）与源极（S）之间的电压高于开启电压（Ugs(th)，场效应管的datasheet里面有，一般是2-4V），又小于8V左右时，漏源电压（UDS）小于漏源击穿电压（BUDS）时，场效应管可以工作在饱和区。
截止区的条件就很简单了，只要Ugs小于开启电压即可。
按照我以前的经验，UGS最好不要太小，靠近8V这样会好一些，导通电阻Rds会小一些，整个管子的功耗也可以小一点。
场效应管工作原理
场效应管工作原理：漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
请问场效应管的工作条件、场效应管工作，就介绍到这里啦！感谢大家的阅读！希望能够对大家有所帮助！
