三极管13002与13003什么区别
都是NPN开关管
13003：硅NPN管，参数：400V,1.25W 1.5A FT=5MHZ
面对着管子正面，管脚向下，从左向右依次为：基极B 集电极C 发射极E.
13002:400V，0.9W，0.8A FT5MHz
分别是VCEO，PC，Ic
三极管13002B与13003能否代换
从参数去看是不可以的 ，但是原来的13003工作电路图的工作电压不超过13002的耐压值、电流不超过1A，就可以换。只要CE的工作电流峰值不超过1A就完全可代换。
三极管13002B参数介绍：
三极管13003参数介绍：
13002s是什么晶体管
13002s是NPN开关管，一般用于小型设备电源变换器或者节能灯。
1、晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
2、晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
13002三极管的参数谁知道啊
IC：0.2A
Vcb0：400V
Vce：400V
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。
扩展资料双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
参考资料来源：百度百科-三极管
三极管：13002能否代替13001s6d
13001 1A VCEO≥400V VCBO≥600V 10~40 (Ic=0.1A,VCE=10V) TO-126
13002 1.2A VCEO≥400V VCBO≥600V 10~40 (Ic=0.1A,VCE=10V) TO-126
13003 1.5A VCEO≥400V VCBO≥600V 10~40
9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012
9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015
9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014
看看参数吧，可用13001、13002、13003等系列的代用13001s6d，但外形有差异。90系列的管子相差太远根本没法代用。
13002三极管的参数谁知道啊、13002，就介绍到这里啦！感谢大家的阅读！希望能够对大家有所帮助！
