三极管13002与13003什么区别

都是NPN开关管

13003:硅NPN管,参数:400V,1.25W 1.5A FT=5MHZ

面对着管子正面,管脚向下,从左向右依次为:基极B 集电极C 发射极E.

13002:400V,0.9W,0.8A FT5MHz

分别是VCEO,PC,Ic

三极管13002B与13003能否代换

    从参数去看是不可以的 ,但是原来的13003工作电路图的工作电压不超过13002的耐压值、电流不超过1A,就可以换。只要CE的工作电流峰值不超过1A就完全可代换。

    三极管13002B参数介绍:

    三极管13003参数介绍:

13002s是什么晶体管

13002s是NPN开关管,一般用于小型设备电源变换器或者节能灯。

1、晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。

2、晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

1300213002三极管的参数谁知道啊

13002三极管的参数谁知道啊

IC:0.2A

Vcb0:400V

Vce:400V

晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的。

扩展资料

双极型晶体管BJT (Bipolar Junction Transistor)

J型场效应管Junction gate FET(Field Effect Transistor)

金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称

V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )

注:这三者看上去都是场效应管,其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极(Unipolar)结构的,是和 双极(Bipolar)是对应的,所以也可以统称为单极晶体管(Unipolar Junction Transistor)

参考资料来源:百度百科-三极管

三极管:13002能否代替13001s6d

13001 1A VCEO≥400V VCBO≥600V 10~40 (Ic=0.1A,VCE=10V) TO-126

13002 1.2A VCEO≥400V VCBO≥600V 10~40 (Ic=0.1A,VCE=10V) TO-126

13003 1.5A VCEO≥400V VCBO≥600V 10~40

9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012

9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015

9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014

看看参数吧,可用13001、13002、13003等系列的代用13001s6d,但外形有差异。90系列的管子相差太远根本没法代用。

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