三极管IRL540N与IRF540N参数何区别三极管IRF9540与IRF540N参数何区别
型号 : IRF9540N 描述 : HEXFET® Power MOSFET P-channel 封装 : TO-220AB
VDSS = -100V
RDS(on) = 0.117Ω
ID = -23A
型号 : IRF540N 描述 : HEXFET® Power MOSFET N-channel 封装 : TO-220AB
VDSS = 100V
RDS(on) = 44mΩ
ID = 33A
型号 : IRL540N 描述 : HEXFET® Power MOSFET N-channel 封装 : TO-220AB
VDSS = 100V
RDS(on) = 0.044Ω
ID = 36A
场效应管IRF540n的针脚是怎么排列的
排列方式如图：
IRF540N场效应管检验方法
检验方法：
用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
扩展资料：
结型场效应管（JFET）
1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。
电路符号中栅极的箭头
场效应管
场效应管
方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚。
参考资料来源：百度百科-场效应管
irf540n的产品的基本参数
产品型号：irf540n
生产厂家：SANYO 、IR、VISHAY
描述：
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:33A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:120W
器件标记:IRF540N
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:27A
电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g
2 d/tab
3 s
针脚配置:a
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
我想请问一下场效应管IRF540n的针脚是怎么排列的
请看下图
irf540n的产品的基本参数、irf540参数，就介绍到这里啦！感谢大家的阅读！希望能够对大家有所帮助！
