三极管IRL540N与IRF540N参数何区别三极管IRF9540与IRF540N参数何区别

型号 : IRF9540N 描述 : HEXFET® Power MOSFET P-channel 封装 : TO-220AB

VDSS = -100V

RDS(on) = 0.117Ω

ID = -23A

型号 : IRF540N 描述 : HEXFET® Power MOSFET N-channel 封装 : TO-220AB

VDSS = 100V

RDS(on) = 44mΩ

ID = 33A

型号 : IRL540N 描述 : HEXFET® Power MOSFET N-channel 封装 : TO-220AB

VDSS = 100V

RDS(on) = 0.044Ω

ID = 36A

场效应管IRF540n的针脚是怎么排列的

排列方式如图:

IRF540N场效应管检验方法

检验方法:

用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

扩展资料:

结型场效应管(JFET)

1、结型场效应管的分类:结型场效应管有两种结构形式,它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极。

电路符号中栅极的箭头

场效应管

场效应管

方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚。

参考资料来源:百度百科-场效应管

irf540参数irf540n的产品的基本参数

irf540n的产品的基本参数

产品型号:irf540n

生产厂家:SANYO 、IR、VISHAY

描述:

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值:33A

电压, Vds 最大:100V

开态电阻, Rds(on):0.04ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率, Pd:120W

器件标记:IRF540N

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:100V

电流, Id 连续:27A

电流, Idm 脉冲:110A

表面安装器件:通孔安装

针脚格式:1 g

2 d/tab

3 s

针脚配置:a

阈值电压, Vgs th 典型值:4V

我想请问一下场效应管IRF540n的针脚是怎么排列的

请看下图

irf540n的产品的基本参数、irf540参数,就介绍到这里啦!感谢大家的阅读!希望能够对大家有所帮助!