三极管放大电路计算
三极管放大电路计算
三极管放大电路请教
这两个电路都是共发射极电路，第一图的电路是最简单的电路形式，由Vcc通过R2给三极管Q1提供直流静态工作点；而第二图增加了发射极负反馈电阻R6，Q2的晶体工作点也改由和R4和R5的分压提供基极电压来提供。具体计算公式：图一，Ib=（Vcc-0.7）/R2；图二，Ib=[R5*Vcc/（R4+R5）-0.7]/R6。
增加了负反馈以后，一方面会使电路的性能更稳定一些，对温漂有一定的抑制作用，另一方面，图一的基极静态电位只有0.7V左右，在输入信号幅值稍大的情况下就容易出现负半周截止失真，而图二由于有了发射极负反馈电阻，，发射极和基极的静态电位都被提高，可以增大输入信号的动态范围而不易出现失真。
至于发射极负反馈电阻对电路增益的影响，完全可以通过增大集电极电阻R3的阻值来补偿，是不必担心的。
三极管三种放大电路的特点比较
1、区别：基极电流IB=EC/RB EC是电源电压，RB是基极偏流电阻。根据电路的直流通路电压平衡方程：EC=IC*RC+VCE。放大状态：IC*RC=VCE。截止状态：IC*RC=0。
2、区别：共射放大电路 _ 电压增益：较大,与Vo反相。 电流放大：有电流放大大。输入电阻：适中。输出电阻：较大。应用情况：频带较窄,常作为低频放大单元。
3、区别：共集放大电路_电压增益：与Vo同相，具电压跟随特性 电流放大：有电流放大大 。输入电阻：最大 。输出电阻：最小 。应用情况：常用于电压放大的输入、输出级。
扩展资料：
输入信号的作用是控制这种转移，使放大器输出信号的变化重复或反映输入信号的变化。现代电子系统中，电信号的产生、发送、接收、变换和处理，几乎都以放大电路为基础。
20世纪初，真空三极管的发明和电信号放大的实现，标志着电子学发展到一个新的阶段。20世纪40年代末晶体管的问世，特别是60年代集成电路的问世，加速了电子放大器以至电子系统小型化和微型化的进程。
现代使用最广的是以晶体管（双极型晶体管或场效应晶体管）放大电路为基础的集成放大器。大功率放大以及高频、微波的低噪声放大，常用分立晶体管放大器。高频和微波的大功率放大主要靠特殊类型的真空管，如功率三极管或四极管、磁控管、速调管、行波管以及正交场放大管等。
放大电路的前置部分或集成电路元件变质引起高频振荡产生咝咝声，检查各部分元件，若元件无损坏，再在磁头信号线与地间并接一个1000PF～0．047F的电容，咝咝声若不消失，则需要更换集成块。
参考资料来源：百度百科-放大电路
参考资料来源：百度百科-三极管
三极管放大电路具体是怎么计算的
R1=24K, R2=1.5K, R3=1K, Rl=2K.
三极管的特性表是决定它静态电压(Vce) 对电流(Ic) 的关系. 而静态电流放大系数则是三极管放大器必需的设计参数.
若看基极的偏压, VA=12V x [1.5/(1.5+24)] = 0.7V.
三极管正向偏压最少要0.6V 才导通, 令集电极电流(=基极电流 x 电流放大系数) 流通, 假设电流放大系数是50, Vbe=0.6V, 则三极管发射极电流(约等於集电极电流)=(0.7-0.6)V / 1K=0.1mA.
故此基极电流 Ib = Ic /电流放大系数 = 0.1 / 50 = 0.002mA.
开路电压UA=[R2/(R1+R2)]Ucc-Ube=[8.2/(20+8.2)]x12V-0.7V=3.489V-0.7V=2.789V。
R1//R2=8.2//20k=5.8156k
Ib=UA/(R1//R2+βR3)
假设晶体管β=100，则
基极电流Ib=2.789V/(5.8156k+100X1k)=2.789V/105.8156k=0.0264mA
集电极电流Ic=βIb=100X0.0264mA=2.64mA
集电极电压Uc=Ucc-RLIc=12-2kX2.64mA=6.72V
若晶体管β不是100，你可将β值代到上边再计算Ib、Ic和Uc
三极管的放大电路是哪一端是输入和输出还输入输出回路图
简单说基极是输入，发射极和集电极都可以作为输出，要看做什么用。三极管在应用中，可组成共E、共C、共B接法三种放大电路。输入、输出端如下：共E接法：B进C出。共C接法：B进E出。共B接法：E进C出。
三极管：
半导体三极管(Bipolar JunctionTransistor)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
扩展资料：
这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升。
但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
参考资料来源：百度百科-三极管
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