PNP三极管参数
1、Vceo是集电极和发射极之间能加的最大电压，一旦超出此电压三极管就有可能损坏；
2、Vcbo不会是5V（Vcbo通常不会低于Vceo），Vebo是三极管发射结的反向耐压值，一旦超出此电压三极管就有可能损坏；
3、Ic（其实应该用Icm来代表）是三极管的最大集电极连续电流，一旦连续电流超出此值三极管就有可能损坏，但它不代表任何情况下都可以在此电流下使用三极管，如果总功耗（集电结电压和集电极电流的乘积）超出额定值，即使集电极电流未超出此值，也同样有可能损坏。
三极管的参数是什么
+++原则上两个不能互换,应急时可以试用++
MJE 系列晶体管系列晶体管 MJE13007系列晶体管系列晶体管
●●应用应用:节能灯节能灯 电子镇流电子镇流 电子变压电子变压 开关电源开关●最大额定值●最大额定值 （（Tc=25°°C )● TO-220
参数 符号 额定值 单位
基极电压 VCBO 700 V
集电极-发射极电压 VCEO 400 V
集电极IC 8.0 A
集电极耗散功率 PC 90 W
最高工作温度 Tj 150 °C
贮存温度 Tstg -65-150 °C ●电特性●电特性 （（Tc=25°°C）
参数名称 符号 测试条件 最小值 最大值 单位
CHARACTERISTICS SYMBOL TEST CONDITION MIN MAX UNIT
集电极-基极截止电流ICBO VCB=700V 100 μA
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流 I V =400V,I =0 250 μA
Collector-Emitter Cutoff Current CEO CE B 集电极-发射极电压 V I =10mA,I =0 400 V
发射极 -基极电压 V I =1mA,I =0 9 V
Emitter- Base Voltage EBO E C 集电极-发射极饱和电压 I =2.0A,I =0.4A 0.4
C B
Collector-Emitter Saturation Vcesat V
I =8.0A,I =2.0A 1.5
Voltage C B
发射极-基极饱和电压 Vbesat I =2A,I =0.4A 1.5 V
Base-Emitter Saturation Voltage C B V =5V,I =10mA 7 CE C
电流放大倍数 h V =5V,I =2.0A 10 40
DC Current Gain FE CE C V =5V,I =8A 5 CE C 贮存时 tS 4.0 9.0
Storage Time V =5V,I =0.5A CC C μS
下降时 (UI9600) tf 0.8
s8050三极管参数
s8050三极管基本参数：
类型：NPN。
集电极耗散功率Pc：0.625W（贴片：0.3W）。
集电极电流Ic：0.5A。
集电极-基极电压Vcbo：40V。
集电极-发射极电压Vceo：25V。
集电极-发射极饱和电压Vce(sat)： 0.6V。
特征频率f： 最小150MHz。
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档。
放大倍数：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。
管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B。
S8050是一款小功率NPN型硅管，集电极-基极（Vcbo）电压最大可为40V，集电极电流为（Ic）0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。
扩展资料
理论原理：
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。
参考资料来源：百度百科-S8050
参考资料来源：百度百科-三极管
三极管的主要参数
三极管的主要参数：
特征频率：当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。
fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。
电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE：电流放大倍数。
VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
PCM：最大允许耗散功率。
封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
扩展资料：
电流放大的结构及原理：
1、电路结构
电流放大器电路拓扑结构可以为电压、电流在第一象限的Buck 电路，也可以采用电流单向流动、电压双象限的H 桥式电路，也可以采用四象限H 桥式电路，其拓扑电路结构如图2(a)～图2(c)所示。这三种电路结构针对不同应用场合灵活选取。
2、基本原理
电流放大器采用输出电流闭环控制，影响电流输出响应速度的主要因素是阻感性负载的时间常数Te= L/RL，当此时间常数较大时，输出电流响应难以提高。因此，提高电流放大器响应速度的主要措施就是减小被控对象的等效时间常数。
参考资料来源：百度百科——三极管
参考资料来源：百度百科——电流放大器
三极管参数问题
三极管正常工作，这个集电极到基极的电压应该是加反向电压，其实就是集电结加反向电压，与二极管加反向电压是同等效果。这个反向电压是有极限的，超过了，三极管就被击穿了，就是三极管的耐压值，是非常重要的一个参数，必须有的，而且很重要很重要的。
三极管的主要参数、三极管参数，就介绍到这里啦！感谢大家的阅读！希望能够对大家有所帮助！
