影响自举电容取值的因素
影响自举电容取值的因素包括:上桥MOSFET的栅极电荷QG、上桥驱动电路的静态电流IQBS、驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS、自举电容的漏电流ICBS(leak)。
计算自举电容值
自举电容必须在每个开关周期内能够提供以上这些电荷,才能保持其电压基本不变,否则VBS将会有很大的电压纹波,并且可能会低于欠压值VBSUV,使上桥无输出并停止工作。
电容的最小容量可根据以下公式算出:
其中,VF为自举二极管正向压降,VLS为下桥器件压降或上桥负载压降,f为工作频率。
影响自举电容取值的因素
影响自举电容取值的因素包括:上桥MOSFET的栅极电荷QG、上桥驱动电路的静态电流IQBS、驱动IC中电平转换电路的电荷要求QLS、自举电容的漏电流ICBS(leak)。
计算自举电容值
自举电容必须在每个开关周期内能够提供以上这些电荷,才能保持其电压基本不变,否则VBS将会有很大的电压纹波,并且可能会低于欠压值VBSUV,使上桥无输出并停止工作。
电容的最小容量可根据以下公式算出:
其中,VF为自举二极管正向压降,VLS为下桥器件压降或上桥负载压降,f为工作频率。
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