【7】理解误区：静态时电路各点工作电压是确定的。例电流源负载的CS电路，放大管工作在饱和区条件下漏源电压具有很大的变化范围，但是电路在工作时，其静态电流相等，漏端的电压相等，即可唯一确定漏端的静态输出电压，表现在特性曲线上可理解为放大管的NMOS和负载管的PMOS在输入唯一的情况下具有唯一确定的交点，反映了唯一的漏电压。这样类比的结果，在MOS管构成的复杂电路中是可以确定其各个MOS管在饱和状态下的漏电压的。
【8】CS电路源级负反馈。负反馈的引入使得电路结构发生了根本的变化，表现在无源器件所构成的反馈网络将联系着输入栅压和输出漏压，因此随着反馈深度的增加，对于输入的信号变化量将主要反映在反馈的电阻上，也就是说输入小信号的变化量将主要体现在反馈的电阻上，这种反馈的作用使得IDS和VGS的非线性关系减弱，近似线性化。同时，电路的等效跨导也将随着反馈的引入有界化。负反馈一方面改变了电路的线性度，另一方面增加了增益的恒定性，但是这些性能的改善以牺牲电压增益为前提。
02CD/CG单管放大电路
源级跟随器在电路中主要用于实现电压的缓冲，电平的移位。主要表现在：电路的电压增益约等于1，这样实现输出近似跟随输入；饱和条件下输出与输入的变化为：输出电压等于输入电压-阈值电压；电路的输入阻抗趋于无穷大，输出阻抗很小，这样电路可以驱动更小的负载，以保持电路在结构上的匹配。因此CD电路在大信号中表现为直流电平的移位特性，在小信号中表现为交流信号的跟随特性。而CG电路相对较低的输入阻抗在电路中用于实现匹配特性。
03Cascode电路
套筒式的共源共栅结构在一定程度上限制了输出的电压摆幅，也就是说电路的最小输出必须保证共源共栅结构的MOSFET工作在饱和条件，即输出的最小电平约为两个过驱动电压之和，但是却极大的提高了电路的输出阻抗。共源共栅结构将输入的电压信号转换为电流，而电流又作为CS电路的输入。而折叠式的共源共栅结构在实现电路的放大时表现为较好的低压特性。
04电路是计算出来的
【1】直流工作点的确定依据其输入的静态电压或静态电流确定，换句话说，电路中各点的静态电压和电流都是可以计算出来的，因为其静态电路各点的IV关系满足基本的电路定理，电路结构的不同所表现的电流、电压表达式是唯一确定的，即电路的静态参数是唯一确定的。
【2】在直流工作点的基础上进行的交流分析也就是对输入小信号的分析，所实现的放大是对叠加在工作点上的小信号进行放大。或者说，直流电平提供了小信号工 作的稳态条件，而交流特性则反映了信号的动态变换，即放大特性，这样在直流电平上叠加的交流小信号共同作为输入作用于电路实现信号的放大。总的来说，电路的交流特性可以通过小信号分析得到，或者通过等效的电路模型简化分析，因此，电路的增益、输入阻抗、输出阻抗都是可以进行计算的。
05MOSFET小信号模型直观理解
MOSFET在饱和条件下的工作状态可以通过小信号等效电路图进行分析，但是小信号等效电路分析也只是提供了一种较为简化的计算方法。电路中的MOS管通过栅源电压的微变化转换为漏源电流的变化，在交流通路中流过相应的负载即可产生交流输出电压，而直流和交流的叠加产生最终的输出电压，产生这一现象的根源在于器件的非线性特性。因此，对于直流通路的分析根据其静态工作电压和电流关系即可得到，而对于交流通路仍然可以建立交流等效电路，但是对于有源器件来讲，其电流和电压的非线性导致器件自身的交直流阻抗分离，这就导致交流通路的某些参数发生变化，这样电路的交流分析应当注意器件阻抗的变化，这正是源于有源器件的非线性导致的交直流阻抗分离。
从MOSFET 的小信号等效电路可以看出，栅源电压对于漏源电流的控制起主导作用，也就是说漏源电压和衬底效应对器件工作状态的影响可以忽略，因此可以看出，MOS管的漏源电流受三方面的影响，从栅端口看，栅压对电流的影响gm*vgs，漏源电压对电流的影响gd*vds，衬底的影响gmb*vbs。那么从电流的角度来讲，二级效应表现为gm*vgs、gd*vds和gd*vds电流的总和。一般条件下，在电路的初始分析过程中忽略沟道长度调制和体效应的 影响，这样简化的MOS模型仅受栅压的影响，因此从源到栅的等效阻抗约为1/gm。简化的电路分析往往因为忽略的次级效应而产生误差，但是对于电路的直观理解是很重要的。
