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双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率,所需PCB空间比6 mm x 5 mm封装减少65 %

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年7月9日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT,将高边TrenchFET®和低边SkyFET®MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。