Vishay推出新款30V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT 功率器件技术文章

日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V条件下，最大导通电阻分别为4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V条件下，导通电阻分别为1.84 mW和2.57 mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9 nC和19.4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间，是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和RF网络设备的负载点（POL）转换、电源以及同步降压和DC / DC转换器。

双MOSFET采用独特的引脚配置结构，电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 %，此外，输出电流超过20 A时具有更高的效率。器件引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强散热，优化电路，简化PCB布局。