实验结果和讨论
基于高k介质的典型C-V结果分别示于图1（a）和（b）。不管淀积方法、条件和材料如何，有时仍能得到频率离散。产生这一问题可能有三个因素：串联电阻影响，包括不完美的背接触；有损耗界面层的影响（～1nm原始SiO2）；k值的频率相关影响。在讨论k值的频率相关影响前，必需充分研究串联电阻影响和有损耗界面层的影响。
串联电阻影响（通常是由于硅体电阻和不完美的背接触）的重要性在热SiO2 MOS电容中得到最好的展示，其中体电介质与硅衬底间的损耗界面层的影响是可以忽略的。SiO2中频率离散只有在衬底有效面积小的样品中观察到，如图2（a）所示。此外，对于没有Al背接触的小样品，尽管测量条件是同一的，测得的结果也不再重复，如图2（b）所示（闭合的符号）。这就破坏了测量方法的可靠性。
为了在任意测量时间和频率下对SiO2重建测得的C-V曲线，必须考虑可能由背接触不完美和硅串联电阻产生的“寄生”分量。然后对C-V曲线实施校正以得到它们的真实值。图3（a）是理想情况下的等效电路，可与实际测量模式比较，其中Cox代表SiO2栅介质的实际频率自主电容，Rs含有硅衬底的体电阻及不同接触电阻产生的量。背接触不完美也用电容Cp建模。CC、GC、Cm、Gm分别指已校正（没有“寄生”分量 Rs和Cp的影响）或测得的电容和电导。
