移动变反法还可以作进一步扩展，即对数据做移动变反处理。以芯片为32位总线为例，首先对存储器各单元写入0xAAAAAAAA，检验并擦除，然后对存储器写入0xCCCCCCCC，检验并擦除，以后依次写入0xF0F0F0F0，0x0F0F0F0F，0xFF00FF00，0x00FF00FF，0xFFFF0000，0x0000FFFF， 0xFFFFFFFF，0x0，都在检验所写的正确性后再擦除数据。其原理与地址移动变反相同，在此不再赘述。
4．测试方法的综合使用和流水测试
以上，从算法的角度上提高了FLASH芯片的可测性。虽然NOR、NAND型FLASH结构不同，但由于以上算法都可通过计算，顺序产生测试图形，因此可通用于以上两类器件的测试中。
上述三种方法各有优点，在实际应用中可配合使用。地址奇偶性图形测试最为方便高效，因为在写入图形过程中每次只改变一位地址线，而且写入的是相反的数据，所以如果哪一位地址线出现短路立刻会被检查出来，使用该方法最适宜检验地址译码器的故障。齐步法适于用来检验多重地址选择与译码器的故障，并且可以检测写入时噪声对存储芯片特性的影响，它能保证正确的地址译码和每个存储单元存储“1”和“0”信息的能力。在大多数生产测试中，联合使用这两种方法可以判别出FLASH绝大多数的故障。当然，各个厂家生产的芯片在结构和工艺上有一定区别，因此出现各种错误的概率也不同，可以根据实际情况调整方法。由于设计问题，有些芯片还有可能出现其他一些不太常见的错误，这就需要进行更详尽的测试，这时使用移动变反测试法就比较合适。这种方法可以很好地测试芯片的动态错误，并且可根据具体需要详细展开测试或简化测试，对于产品性能分析十分有效。
在具体程序设计时，为简化算法执行，可以将读取产品型号、调用读写命令的语句作为子程序存储在测试仪中，每次需要时都可以无缝调用。
