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嵌入式技术相关技术文章瑞萨与台积电将合作开发28nm纳米嵌入式闪存制程技术

(文章来源:OFweek)

瑞萨电子与台积电共同宣布,双方合作开发28纳米嵌入式闪存(eFlash)制程技术,以生产支持新一代环保汽车与自动驾驶汽车的微控制器(MCU)。采用此全新28纳米工艺技术生产的车用MCU预计于2017年提供样品,2020年开始量产。

瑞萨与台积电自90纳米技术时代便开始密切合作开发有片上闪存的MCU产品。为了使未来的环保汽车与自动驾驶汽车更节能且更可靠,双方在合作40纳米MCU平台并生产四年之后,扩大合作至28纳米MCU的开发。通过此次合作,瑞萨具备高可靠性及高速优势的MONOSeFlash技术,将结合台积电高性能、低功耗的28纳米high-k绝缘层+金属栅极(HKMG)工艺技术,生产全球顶尖的车用MCU产品,以支持广泛的应用,例如自动驾驶汽车的传感器控制、电子控制单元(ECU)之间的协调控制、环保汽车的高效率燃油引擎控制、以及电动车的高效率电机变频器控制。

为了满足未来自动驾驶汽车对于高效能与安全性的严格要求,新一代MCU利用3D雷达监测车辆四周环境,以实现高精度的感测功能,同时可整合多个传感器的数据,并且具备自动驾驶操作时所需的实时判断处理能力。能够安全控制自动驾驶功能的ECU亦需要新一代的MCU快速处理复杂的控制任务(包括失效稳定运行能力、安全性、以及对多个ECU之间协调控制的支持),并提高整体系统的能源效率及功能安全性。同时,为了符合更严格的排放法规,新一代环保汽车的引擎还需要强大的运算性能来控制新的燃油系统,它也需要强大且大容量的片上闪存来容纳更大的固件程序。

瑞萨与台积电将合作开发28nm纳米嵌入式闪存制程技术

由于市场对环保的要求越来越高,对电动车(EV)与充电式油电混合车(PHV)也要求具备更长的续航,这就要求MCU具备更高的运算效能及更高的功能集成,从而控制效率更高、体积更小的电机变频器。大容量闪存亦不可或缺,能够更精确地支持各国环境法规与标准,并得以通过空中传输(OTA)的方式无线更新控制程序。此外,具备优异效能与绝佳安全性的MCU嵌入式闪存技术对于打造安全社会的新一代控制技术来说也是必须的,适用领域包括工业4.0等工业领域以及社会基础建设领域。