今天小编要和大家分享的是控制,MCU相关信息，接下来我将从单片机的两种清0方式有什么区别，单片机寄存器间接寻址的问题,我是新手这几个方面来介绍。
控制,MCU相关技术文章单片机的两种清0方式有什么区别
阅读单片机文档的时候一般寄存器是rw类型，还有一些是r或者w，对于一些特殊寄存器的置1是由硬件自动实现的，比如标志位flag、中断int，但清0还是需要通过软件进行操作，清0方式有两种，写1清0，写0清0，这两种方式有什么区别呢？在硬件实现上有什么不同？
单片机内部有各种功能的寄存器，比如PIC,C51系列8位的单片机，寄存器的宽度就是八个二进制位，一般是高位在前低位在后，例如：11000011，一共是八位，高四位数据是1100，低四位数据是0011。单片机是可以进行位操作的，一个8位的寄存器我们可以只针对其中一个位或者某些位进行操作，将寄存器相应的位赋值1（高电平）为置位，相反赋值0（低电平）为清零。这是一种比较容易理解的方式，但对于写1清0有几种说法。
1、从电路角度去看，对某位写1，即输入一个高电平，使内部的一个三极管导通接地，电容放电进行清0。
2、写1是在硬件上产生一个复位脉冲。能写0清除就很可能也可以写1进去，而这与功能要求不符。如要控制只能写0而不能写1，则硬件比较复杂。
3、从应用便捷性角度来说，读了寄存器数据以后，照着写回去就可以清0，不用再更改一次数据。
还有寄存器一般支持的是byte, half word, word操作，对于寄存器上有几个标志位的情况下，完成对单一标志位的清0，又不影响其他标志位，但又必须对其他位进行写，因此也就只能是写1或者写0清0才有效，只能一种方式。
个人理解，有什么不对的，烦请评论指正探讨，尽信书不如无书，理越辩越明。
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