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MEMS,传感技术相关技术文章MEMS技术对半导体行业的影响
MEMS技术是随着集成电路，尤其是超大规模集成电路发展起来的一门新技术，经过几代科学家的努力，MEMS如今在不同的行业和不同的领域相继规模化生产，展现了微机电系统及其微系统的巨大应用前景。
MEMS技术被誉为21世纪具有革命性的高新技术，也被称为颠覆性技术之一。其诞生和发展是“需求牵引”和“技术推动”的综合结果，更是一部恢宏壮阔的技术演变史，蕴涵了历代科技先驱们的智慧结晶。于是，传感器专家网整理了MEMS技术发展史上的关键时刻。
1947年，美国贝尔实验室发明点接触式双极性晶体管，现代半导体产业自此诞生，信息时代就此开启。晶体管可以说是20世纪最重要的发明，距今已经有70多年了。
1954年，C.S史密斯发现了硅锗的压阻效应（当受到应力作用时电阻率发生变化．这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”）。许多MEMS压力传感器利用了这一特性，此后，压力传感器开始商业化。
1958年9月12日，JackKilby紧张地将十伏电压接在了输入端，再将一个示波器连在了输出端，接通的一刹那，示波器上出现了频率为1.2兆赫兹，振幅为0.2伏的震荡波形。现代电子工业的第一个用单一材料制成的集成电路诞生了。一周后，JackKilby用同样的方法成功地做出了一个触发电路。JackKilby的实验告诉人们，将各种电子器件集成在一个晶片上是可行的，世界从此进入了集成电路时代。
1959年，美国物理学家理查·费曼发表名为《底部有足够的空间》的演讲，他对纳米技术提出了预言，且极大地推动了微纳技术（NEMS）的研究。
1962年，微小器件的先驱——第一个硅微压力传感器问世，开创了MEMS技术的先河。它的特征是用硅膜、压敏电阻和体硅腐蚀。它是MEMS微传感器的起始点，同时也是MEMS体加工（bulkmicromachining）的起始点。
1967年，美国西屋研究实验室Nathanson等人报道了硅谐振栅晶体管。它的特征是用静电激励起栅振动，它是MEMS执行器的起始点。
1968年，硅谐振栅晶体管（RGT）获得专利，这是最早的微静电执行器，也是最早的表面微加工技术。
