华虹宏力模拟芯片工艺的电压覆盖范围很广，从5V至700V，工艺节点从0.5微米至90纳米。在BCD技术方面，华虹宏力可提供全系列BCD/CDMOS工艺，在差异化的低压BCD技术方面更是独具特色。
2018年，华虹宏力成功量产第二代0.18微米5V/40V BCD，技术性能达到业界先进水平，具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，已实现电机驱动、快充、DC-DC转换器等多种芯片量产。结合领先的嵌入式闪存技术，华虹宏力还成功将BCD和FLASH进行有机的结合，提供110纳米BCD + eFlash的解决方案，未来最高操作电压将提升到60V-100V，适用于电池管理系统，符合汽车电子的设计要求，为当下需求迫切的快充、智能化电源管理等提供更优的选择，满足市场日益增加的复合式功能需求。
功率器件：以点带面加速奔跑
功率半导体包括MOSFET、IGBT等，在开关电源、智能电网、新能源汽车中都是大热门。华虹宏力深耕功率半导体多年，是全球第一家功率器件的8英寸纯晶圆代工厂，早在2002年已开始功率半导体的创“芯”路；同时，华虹宏力还是业内首个拥有深沟槽超级结（DT-SJ）及场截止型（FS）IGBT工艺平台的8英寸代工厂。
多年厚积薄发，华虹宏力已在高端功率器件应用市场占据重要地位。比如，在对安全、可靠性要求严苛的汽车电子市场，华虹宏力代工的MOSFET已应用于汽车的油泵、AC/DC转换器、车身稳定（ESP）等系统；在新能源汽车核心器件逆变器中，拥有高端背面加工技术的华虹宏力的高品质IGBT已获得大量应用。
图：华虹宏力长期关注功率器件技术发展
超级结MOSFET适用于200V到900V电压段，其导通电阻更小、效率更高、散热相对低，在要求严苛的开关电源等产品中有大量应用。
华虹宏力深沟槽超级结工艺已发展至第三代，其流程紧凑，且成功开发出沟槽栅的新型结构，有效地降低了结电阻，进一步缩小了元胞面积（cell pitch），技术参数达业界一流水平，可提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的技术解决方案。
IGBT是由BJT（双极结型晶体三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合型功率半导体器件，由于其能够提高用电效率和质量，应用潜力很大，在新能源汽车、轨道交通、电力传输中不可或缺。
华虹宏力拥有背面薄片、背面高能离子注入、背面激光退火以及背面金属化等一整套完整的FS IGBT的背面加工处理能力，是国内为数不多可用8英寸晶圆产线为客户提供高品质IGBT代工服务的厂商之一，可助力客户产品比肩业界主流的国际IDM产品，在市场竞争中取得更大优势。
