今天小编要和大家分享的是制造,封装相关信息，接下来我将从要提高功率密度，除改进晶圆技术之外，还要提升封装性能，smt主要元件封装图这几个方面来介绍。
制造,封装相关技术文章要提高功率密度，除改进晶圆技术之外，还要提升封装性能
Neil Massey，安世半导体国际产品营销经理
汽车和工业应用都需要不断提高功率密度。例如，为了提高安全性，新的汽车动力转向设计现在要求双冗余电路，这意味着要在相同空间内容纳双倍的元器件。再举一个例子，在服务器群中，每平方米都要耗费一定成本，用户通常每18个月要求相同电源封装中的输出功率翻倍。如果分立式半导体供应商要应对这一挑战，不能仅专注于改进晶圆技术，还必须努力提升封装性能。
总部位于荷兰的安世半导体是分立器件、MOSFET器件、模拟和逻辑集成电路领域的领导者，该公司率先在-功率封装（LFPAK无损封装）内部采用了全铜夹片芯片贴装技术，目的是实现多种技术优势（电流能力、RDSon、热特性等）。
专为提高功率密度设计的LFPAK封装系列
LFPAK封装系列用于提高功率密度。其主要特点是在封装内部使用了全铜夹片，在外部使用了鸥翼引脚。安世半导体在2002年率先推出LFPAK56封装 - 它是一款功率SO8封装（5mm x 6mm），设计用于替代体积更大的DPAK封装。现在，该公司提供了一系列不同尺寸的封装，包含单双通道MOSFET配置，可涵盖众多不同应用。最近，安世半导体发布了LFPAK88，这是一款8mm x 8mm封装，针对较高功率的应用而设计，可取代体积更大的D²PAK和D²PAK-7封装。
图1：LFPAK分立式MOSFET封装系列
夹片粘合封装与焊线封装：功率密度优势
LFPAK器件的体积小于老式D²PAK和D²PAK-7器件，同时实现了功率密度的明显提升。
图2：LFPAK88的占位面积小于D²PAK
上图显示了LFPAK88的相对占位面积大小，与D²PAK器件相比减小了60%；另外LFPAK88器件的高度更低，因而总体积减小了86%。
