要提高功率密度，除改进晶圆技术之外，还要提升封装性能 制造,封装技术文章

·D²PAK中的最大芯片的热阻为0.43K/W；LFPAK88的热阻为0.35K/W。

·更低的热阻值主要归功于传热路线更短，漏极铜夹片更薄（LFPAK88的厚度为0.5mm，D²PAK的厚度为1.3mm）

图5： LFPAK88较薄的漏极散热片和D2PAK的对比

功率密度 》1W/mm³

尺寸更小，电流能力更高，RDS（on）值更低，这些优势结合在一起，使功率密度得以提高，正如表中所总结（使用相同技术平台来提供相近的性能）

结论

总而言之，要提高功率密度，不仅需要晶圆技术的改进，还必须利用新的封装技术，充分发挥分立式MOSFET的潜能。LFPAK全铜夹片封装系列增强了晶圆的性能表现，能够帮助我们减小占位面积，提高功率输出。

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