电容的S参数测量。
我重新设计了SLOT校准件及测试板，并测试了公司80%以上电容的S参数模型
S电容参数转为多级SPICE模型
陶瓷电容的RLC是通过ADS拟合出来的（这个方法我在部门的数据库中归了档）;钽电容则是通过多级RLC拟合出来，如下图2所示。这个是由王瑜使用MATLAB完成的。
把所有的电容的SPICE模型按一定的格式组合成DML文件
这个由我写程序完成。构造这个文件按CADENCE给的HELP文件是完成不了的，因我无意中发现它的一个BUG,即RLC元件值后面的单位必须要有一个空格，这个BUG对整个仿真流程至关重要。DML文件可以加密，但是PI运行后生成的网表会把电容的多级子电路显示出来，这也是一个BUG。
按CODE进行自动赋模型
这个方法由我发明并写程序完成
模型的S1P,S2P转换，输出的Z参数转换
这个由张胜利，贾俊等写公式及推导，我写程序一次性完成。
把上面的技术点处理完成后，PI仿真就变白痴化了，完全不会的人也可以在半天或一天内输出需要的PI仿真报告。
2 _3 l3 D s& B; l0 A: B3 x6 L
图2多级RLC拟合钽电容电路
PI仿真流程建成后公司PI仿真方面在业界当时应是一流水平，且测试与仿真拟合得很好（我们只测到3Ghz）。
SIWAVE1.0在我们使用SQPI流程完成后1年才出来，当时由张胜利对这个软件进行了评估，由于我没有对它写辅助程序,有些算法还不成熟，SIWAVE1.0还是不如我们的流程好用。到了SIWAVE2.0后它的PI仿真方面才完善，不过SIWAVE2.0的自动赋模型程序也是我帮助李宝龙修改完成的。后来的SIGRITY PI自动赋模型我也写好了程序（直接对SPD文件进行处理）。在自动赋模型方面我觉得自已很有天赋。
板级的PI仿真我们认为已经拟合得很好了，现在剩下器件的电流源建模比较困难。TI有牛人写过文档对IC的电流源进行模拟，但他的方法一直没有使我信服，且他还在优化的过程中。
柳树要接管PI组后在芯片级等效电容方面有突破，且方法用在芯片K3V1上并解决了当时的问题。海思后来自己又引进了APACHE软件，用它来生成电流源模型，我离开公司时还未有真正突破性的进展，不知现在的情况怎样了。
由于现在PI软件的多样性及算法的进一步成熟，华为现在板级PI水平和外界应差别不大，但Hisilicon离后端较近，有机会在DIE上对PI有一番作为，这也要看小伙伴们的造化了。
关于怎样算电流源模型的问题，我也一直在思考，希望通过计算出logic的翻转率来评估。我希望在快捷后面开发产品中与FPGA工程师合作，看是否有机会突破。
