从信号源看到的网络输入阻抗为：
其中C2（约100fF）与PCSNIM中的C1相等。
源电感LS的主要作用是使输入阻抗产生50？赘的实部，实现输入阻抗匹配。理想电感理论上不影响系统的Re［Zopt］，如式（6）、式（9）；LS很小（0.7nH），对Im［Zopt］的影响可以忽略不计，如式（7）、式（10）。因此改进电路的最佳噪声阻抗可以利用式（9）、式（10）计算。
3、设计事例和模拟结果
在实际芯片制造中，一般片上电阻的误差很大，约20%，R1的波动直接影响系统的直流工作点，对系统的整体性能有很大影响；且R1约为1.5kΩ，使用片上电阻会占用较大的芯片面积。为了避免上述问题，可以用MOS电阻M4取代R1。这样不仅节省了芯片面积，而且可以使电阻R1的精确度大大提高。
图2中的C2很小（只有100fF左右），实际片上电容越小，误差越大，但是C2的波动对噪声性能影响很大。为了避免C2波动对系统性能的影响，用M5 MOS电阻替代R2，利用M5源端到栅和衬底的寄生电容取代C2。这样M5不仅可以像R2那样起到噪声隔离的目的，而且可以完全取代C2。这样大大节省了芯片面积，简化了系统的复杂性。综合上述分析，图4 给出了完整的低功耗LNA设计方案。
以下仿真结果是在SMIC RF 0.13μm工艺、单片集成架构、5.5GHz工作频率、1V工作电压下完成的。模拟结果对比如图5、图6、图7所示。
本文在对传统SNIM和PCSNIM结构分析的基础上，针对SNIM功耗过大和PCSNIM增益较小的缺点，提出了一种新的低功耗LNA设计架构。该方案在功耗、噪声和PCSNIM相当的条件下，充分弥补了PCSNIM增益过小的缺点，实现了与高功耗SNIM相当的增益。同时还实现了最优的输入阻抗匹配特性和高频特性。理论分析和ADS 仿真结果十分吻合，达到了预期设计目标。
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