今天小编要和大家分享的是存储技术相关信息，接下来我将从浅谈3D NAND Flash技术未来的走向及发展趋势，flash 绘制稿这几个方面来介绍。
存储技术相关技术文章浅谈3D NAND Flash技术未来的走向及发展趋势
2020年5月17日-20日举行了在线IMW（International Memory Workshop），笔者自2018年起已经连续三年参加IMW会议，而在线会议还是首次参加。今年的会议中，有关3D NAND的论文数量最多，因此，笔者就各家NAND型闪存（以下简称为：“NAND”）厂家的现状、未来的技术蓝图（Roadmap）展开论述。
NAND的历史
5月17日的会议（Tutorial）“PART I - 3D NAND”中，首位出场的是铠侠（原东芝存储半导体）的Noboru Shibata先生，他在主题为《History and Future of Multi-Level-Cell Technology in 2D and 3D Flash Memory》的演讲中，说明了NAND的历史，如下图1。
图1：NAND存储密度增加的趋势。（图片出自：Noboru Shibata， KIOXIA Corp.， “History and Future of Multi-Level-Cell Technology in 2D and 3D Flash Memory”， IMW2020， Tutorials PART 1.）
Noboru Shibata先生以NAND的字位（Bit）为焦点，如上图1展示了2字位（MLC）、3字位（TLC）、4字位（QLC）分别对应了何种细微性、何种存储容量的芯片。
在2009年（32纳米）以后，存储半导体密度的增长趋势呈现了一时的放缓现象，自2016年开始转向3D趋势，且趋势越来越明显。因此，人们普遍期待未来3D化的NAND将会继续扩大存储的密度。
Shibata先生的演讲之后，WD的Yan Li先生做了题目为《3D NAND Architecture and its Application》的演讲，其中提到31年来NAND的细微化全过程。如下图2所示。
图2：NAND存储密度增加的趋势。（图片出自：Yan Li， Western Digital Corporation， “3D NAND Architecture and its Application”， IMW2020， Tutorials PART 1.）
1987年在IEDM上公布的NAND的细微化为1um。此次的发言者应该是NAND的发明人—舛冈富士雄先生（笔者推测），在次年的1988年，以1um生产出了4M bit的NAND，1992年以0.7um发布了16M bit。自此，东芝的NAND业务开始正式启动。
