后来，随着细微化、高度集成化的发展，2014年以1Znm（应该是15纳米）发布了128Gbit的NAND。但是，后来由于发生了近邻存储单元（Memory Cell）之间的串扰（Cross Talk）问题，放弃了2D的细微化，自2015年开始转入（Paradigm Shift）3D时代。而且，除了细微化，还开始了在纵向堆积更多层数的“多层化”发展。
这种多层化以48层、64层、96层（约1.5倍）的形式发展，可以推测，下一步应该是1.2倍的112层。
各3D NANA厂家的现状
会议（Tutorial）“PART I - 3D NAND”的第三位演讲者是Applied Materials（AMAT）的Tomohiko Kitajima先生，演讲题目为《Materials and process technology driven 3D NAND Scaling beyond 200 pairs》。在这篇演讲中Tomohiko Kitajima先生简明地分析、比较了各家NAND厂商的现状，且说明了未来的技术蓝图。这篇演讲，为理解3D NAND，很有帮助，且演讲者在过程中反复展示了视频说明。下面笔者简单介绍其中一部分。
下图3是各家厂商生产的3D NAND的所有断面SEM图，此外，图4是各家厂商的最新的3DNAND的SEM照片与构造。看到这两幅图，笔者感觉很震惊、很有价值。
图3：各家存储半导体厂家的3D NAND的断面SEM照片。（图片出自：Tomohiko Kitajima， Applied Materials， “Materials and process technology driven 3D NAND Scaling beyond 200 pairs ”， IMW2020， Tutorials PART 1.）
图4：各家存储半导体厂家的最新的3D NAND的比较。（图片出自：Tomohiko Kitajima， Applied Materials， “Materials and process technology driven 3D NAND Scaling beyond 200 pairs ”， IMW2020， Tutorials PART 1.）
行业先驱--三星（Samsung Electronics）直面的问题
下面我们再看下一图3，仅从这一张图我们就可以看到各家集团公司的技术、战略、面临的问题等信息。
三星（Samsung Electronics）正在推进24层、32层、48层、64层、92层以及3D的的多层化发展，由于中国西安工厂大量生产并最先开始出货的是48层，因此可以判断24层、32层是样品交货。三星是最先开始出货48层产品的，且已经发售64层产品，因此可以断言三星控制了48层和64层的市场。
业界普遍认为三星竞争力的来源在于纵横比（Aspect Ratio、AR）较大的内存孔（Memory Hole）的干蚀刻技术（Dry Etching）。三星通过与Lam Research共同研发，开发了AR较大的HARC（High Aspect Ratio Contact）蚀刻设备与技术，远远领先于其他公司。
