此外，在64层的下一代产品上，三星“摔了一个大跟头”，尽管其他公司已经开始生产96层，只有三星在生产这种处于中间位置的92层的产品。此外，从断面图的高度来看，三星的92层纵向高度明显比其他公司的96层低了很多。
主要原因如下：铠侠与WD等其他公司的96层是利用两个48层堆叠而成的，然而仅有三星采用了一次性加工的方式、进行内存孔（Memory Hole）的HARC蚀刻。
也就是说，AR越大，HARC蚀刻的难度也越大。具体而言，蚀刻速度会呈现指数级的降低，且会发生各种异常情况，如很难控制内存孔（Memory Hole）的方差。
为此，三星将纵向的层数做成92层（比其他公司少了4层），进一步将存储单元（Memory Cell）朝纵向收缩，尽量把HARC的AR做得更小。据推测，三星的92层的产品良率十分低。
尽管如此，三星在2019年11月19日公布说，新一代的128层也会采用一次性加工的方式进行生产。笔者认为，与其拘泥于一次性加工的生产方式，不如再研发其他新的生产方式，因此三星的未来堪忧。
铠侠和WD生产的96层产品
与由于对HARC蚀刻技术怀有较大的信心而“摔了跟头”的三星不同，铠侠和WD通过96层产品统领了全球市场。根据笔者从供应链等处得到的信息来看，在2019年时间点的第四季度，日本四日市工厂的96层的稼动产能是三星的3倍-4倍。
那么，为什么铠侠和WD可以在96层上获得成功呢？
在64层之前，铠侠和WD在HARC蚀刻技术方面，都远远落后于三星。因此，他们尽早地将堆叠两个48层应用到了96层上。
从图3 来看，就96层而言，三星以外的其他厂家都分为Lower和Upper。在这种双层堆叠方式形成96层的情况下，很难将12英寸晶圆完美地与将近约2兆个内存孔（Memory Hole）贴合。据推测，即使在四日市工厂，也曾因为这个问题而导致产品的良率低下。
此外，自2019年夏季开始，行业的趋势就变化了。笔者从就职于铠侠的朋友得知，“如果要我们堆叠500层，我们也可以做到”！就内存孔（Memory Hole）贴合的技术而言，笔者推测他们应该是取得了某种技术突破（Breakthrough）。此外，据笔者调查的各家NAND厂家的稼动产能而言，如上文所述，四日市工厂的96层，具有压倒性的规模。
下面我们再看一下图3，Intel＆Micron在64层以后，采用了双层堆叠的方式。此外，海力士是自72层以后（不是64层），采用双层堆叠的方式。
此外，比较一下各家的双层堆叠方式，我们可以看出，铠侠和WD的Lower、Upper的分界线十分明显。因此笔者推测，铠侠和WD为解决内存孔的贴合问题，在Lower、Upper之间植入了某种特殊的构造。笔者认为，正是这种特殊的构造技术使铠侠和WD的双层堆叠的良率大幅度提高、产能远超三星，且顺利地生产96层。
