今天小编要和大家分享的是存储技术相关信息,接下来我将从DRAM、SRAM和Flash原理解析,flash 绘制稿这几个方面来介绍。

存储技术相关技术文章DRAM、SRAM和Flash原理解析flash 绘制稿

存储技术相关技术文章DRAM、SRAM和Flash原理解析

DRAM、SRAM和Flash都属于存储器,DRAM通常被称为内存,也有些朋友会把手机中的Flash闪存误会成内存。SRAM的存在感相对较弱,但他却是CPU性能发挥的关键。DRAM、SRAM和Flash有何区别,它们是怎样工作的?

DRAM:动态随机存取存储器

DRAM的全称是Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器。“随机存取”意味着CPU可以存取其中的的任意位置,而不像硬盘那样每次存取要以扇区为单位进行。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

而“动态”是因为DRAM的工作采用电容原理,为了防止漏电引发数据错误,需要定时重复刷新。当电源中断后DRAM中的数据就会全部丢失,所以它属于“易失型”存储器。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

SRAM:静态随机存取存储器

SRAM的存在感比较弱,因为多数时候它并不是像DRAM那样以内存条的形式直接展现在大家面前。CPU中集成的高速缓存就属于SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)。在一些无DRAM缓存设计的固态硬盘(如东芝TR200)中,主控内会集成小容量的SRAM缓存。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

SRAM存储单元是由6个晶体管制成的简单锁存器,无需刷新和回写就能保留数据,速度比DRAM更快。但由于集成度低,SRAM容量比DRAM小,成本比DRAM高,所以在大多数地方只能以较小的容量作为高速缓存使用。断电后SRAM中的数据也会丢失,同样属于“易失性”存储器。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

Flash:闪存存储器

铠侠(原东芝存储)在上世纪80年代发明NAND型闪存。闪存可以在断电后持续保存数据,但是它无法随机存取,最小读写单元是Page页(早期为4KB,当前多为16KB),最小擦除单位是Block块(当前为16MB左右)。