DRAM、SRAM和Flash原理解析

闪存使用特殊的“浮栅层”(Floating Gate)来存储数据,氧化物层(Oxide Layer)的存在可防止浮栅层中电子流失,这是它能够在断电后继续保存数据的原因。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

Flash闪存的1个存储单元存储多位数据,这是DRAM和SRAM都做不到的。根据浮栅层中电子的多少,每个存储单元可以表达1比特(SLC)、2比特(MLC)、3比特(TLC)或4比特(QLC)数据。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

闪存的写入和擦除基于量子隧道效应,每个单元可以存储的数据越多,对跃迁到浮栅层的电子数量控制越严苛,写入速度也越慢,所以TLC的闪存性能优于QLC。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

当前的3D闪存在结构上跟传统闪存又有所不同。3D闪存的单元排列从水平变更为立体的同时,闪存单元的结构也变为类似于圆柱形,Floating Gate浮栅也被Charge Trap电荷捕获结构代替。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

新一代固态硬盘上已经用上96层堆叠技术的3D闪存,而下一代100+层堆叠的闪存也已完成研发并将很快进入量产阶段,在容量、性能和成本上取得新的进步。

DRAM、SRAM和Flash原理解析

总结:DRAM是内存(动态刷新,断电丢数据),SRAM是高速缓存(无需刷新,断电丢数据),Flash(无需刷新,断电不丢数据)通常作为硬盘。从容量上看SRAM《DRAM《Flash,从性能上看则正好反过来。DRAM和SRAM断电后数据会丢失,写入Flash闪存的数据则可以在断电后持续保留。

关于存储技术就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。