今天小编要和大家分享的是存储技术相关信息，接下来我将从长江存储的技术创新，128层3D NAND闪存芯片问世，【推仔说新闻】三星量产第五代3d v-nand闪存这几个方面来介绍。
存储技术相关技术文章长江存储的技术创新，128层3D NAND闪存芯片问世
（文章来源：OFweek电子工程网）
长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证，将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。
长江存储表示，X2－6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，在目前全球已公开发布的3D NAND Flash存储芯片产品中，X2－6070拥有最高单位面积存储密度，最高I／O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。长江存储本次还同时发布了128层512Gb TLC（3 bit／cell）规格闪存芯片X2－9060，以满足不同应用场景的需求。
长江存储本次发布的两款产品均采用公司自研Xtacking®2．0架构，外围电路和存储单元可堆叠，带来极佳的扩展性。在性能方面，两款产品拥有1．6Gbps的I／O读写性能，3D QLC单颗容量高达1．33Tb，是上一代产品64层的5．33倍。去年9月，长江存储宣布在其第三代3D NAND闪存中应用Xtacking®2．0架构，相关技术概念在IC China 2019上得以公开。
据OFweek电子工程网了解，Xtacking®技术可以为3D NAND带来三大优势：更快的I／O接口速度：Xtacking®技术可在一片晶圆上独立加工负责数据I／O及记忆单元操作的外围电路，有利于选择合适的先进逻辑工艺，让NAND获取更高的I／O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking?技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
更高的存储密度：外围电路约占传统3D NAND架构中芯片面积的20～30％，随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路面积占比将超过50％以上。Xtacking?技术将外围电路置于存储单元之上，实现比传统3D NAND更高的存储密度。
