提升研发效率并缩短生产周期：充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20％，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。
据悉，长江存储于2017年成功设计制造了中国首款32层3D NAND闪存；2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。短短三年时间，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跨越，迅速追上了日韩美厂商先进水平，值得欣慰。
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking® 2．0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”
随着5G时代的到来，NAND市场或将在2020年出现升温，尤其是中国市场5G终端产品越来越多。去年底，NAND闪存芯片市场的霸主三星宣布对其位于西安的芯片工厂加注80亿美元（约合562亿人民币）投资，以扩大NAND闪存芯片产能，进一步巩固自己的领先地位。
但需要注意的是，存储作为一种具备庞大数据量的承载产品，安全问题也更加值得警惕。因此，在政务、网信等关键领域，有必要进一步推进国产化存储发展。
目前全球NAND闪存市场主要还是以国外玩家为主，比较知名的有三星、SK海力士、美光、东芝、西部数据等，长江存储作为国内NAND闪存领军企业，在128层3D TLC／QLC闪存上的进展也让国人看到了希望，期待相关终端产品能够尽快上市和应用。
（责任编辑：fqj）
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