针对SIM卡及MMC/SD卡这两种应用,晶焱科技提供了相应的电磁干扰滤波器AZM-SIM01-03F以及AZM- MMC01-06F,可以解决上述电磁干扰问题。表1为晶焱科技AZM-SIM01-03F及AZM-MMC01-06F电磁干扰滤波器产品的基本特性参数数值。这两种电磁干扰滤波器均适用于5V或5V以下的额定电压电路系统,线电容值分别为22pF及24.5pF。操作频率在1GHz时,其插入损耗分别可达-20dB及-21.5dB,可以电磁干扰信号强度显著降低至十分之一以下,以维持受保护电路的操作功能正常。

如何抑制手机射频通讯信号中的电磁干扰

表1:晶焱科技应用于SIM卡及MMC/SD卡的电磁干扰滤波器的基本特性参数。

在静电放电保护方面,该系列产品中的暂态电压抑制器具有极低的箝位电压。AZM-MMC01-06F抗静电保护效果可高达10kV以上(IEC 61000-4-2,contact mode ±10kV),AZM-SIM01-03F抗静电保护效果更可高达15kV以上(IEC61000-4-2,contact mode ±15kV)。

当静电放电事件(ESD)发生时,瞬态电压抑制器的箝位电压越低,则越能即时地导通可观的静电放电电流,以使受保护电路免于遭受静电放电的侵害而永久受损失效。图1所示为利用传输线脉冲产生系统(TLP)所测量到的AZM-SIM01-03F及AZM-MMC01-06F产品的箝位电压图。由图中可以清楚看到,这两种电磁干扰滤波器在传输线触波产生系统输出17A的高静电放电电流下,其箝位电压均低于8.5V,可以非常有效地提供受保护电路一个快速有效的静电放电旁通通路(bypass path)。

如何抑制手机射频通讯信号中的电磁干扰

图1:晶焱科技推出的AZM-SIM01-03F及AZM-MMC01-06F电磁干扰滤波器:在17A所对应的箝位电压均小于8.5V。

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另外,根据IEC 61000-4-2标准所制订的规格,第四级保护需提供至少接触放电模式(contact discharge mode)8kV、空气放电模式(air discharge mode)15kV以上的静电放电保护能力。该系列产品提供接触放电模式10kV以上的静电放电保护能力,明显超出IEC 61000-4-2标准第四级所规定的需求数值。

由于便携式设备需要依靠电池来供应所需电力,因此在元件正常使用时,漏电流愈大,则电池的耗电量就愈大、可供电时间就会缩短。图2所示为晶焱科技推出的AZM-SIM01-03F及AZM-MMC01-06F电磁干扰滤波器新产品的电流-电压(I-V)特性曲线。由图中曲线可知,电磁干扰滤波器新产品在适用的系统操作电压(在此为5V或5V以下)时的漏电流远小于1uA,因此可延长便携式设备的电池可持续使用时间。