3.1工艺和部件的选取
混合集成电路有三种制造工艺可供选择，单层薄膜、多层厚膜和多层共烧厚膜。薄膜工艺能够生产高密度混合电路所需的小尺寸、低功率和高电流密度的元器件，具有高质量、稳定、可靠和灵活的特点，适合于高速高频和高封装密度的电路中。但只能做单层布线且成本较高。多层厚膜工艺能够以较低的成本制造多层互连电路， 从电磁兼容的角度来说，多层布线可以减小线路板的电磁辐射并提高线路板的抗干扰能力。因为可以设置专门的电源层和地层，使信号与地线之间的距离仅为层间距离。这样，板上所有信号的回路面积就可以降至最小，从而有效减小差模辐射。
其中多层共烧厚膜工艺具有更多的优点，是目前无源集成的主流技术。它可以实现更多层的布线，易于内埋元器件，提高组装密度，具有良好的高频特性和高速传输特性。此外，与薄膜技术具有良好的兼容性，二者结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层电路。
混合电路中的有源器件一般选用裸芯片，没有裸芯片时可选用相应的封装好的芯片，为得到最好的EMC特性，尽量选用表贴式芯片。选择芯片时在满足产品技术指标的前提下，尽量选用低速时钟。在HC能用时绝不使用AC，CMOS4000能行就不用HC。电容应具有低的等效串联电阻，这样可以避免对信号造成大的衰减。
混合电路的封装可采用可伐金属的底座和壳盖，平行缝焊，具有很好的屏蔽作用。
3.2电路的布局
在进行混合微电路的布局划分时，首先要考虑三个主要因素：输入/输出引脚的个数，器件密度和功耗。一个实用的规则是片状元件所占面积为基片的20%，每平方英寸耗散功率不大于2W。
在器件布置方面，原则上应将相互有关的器件尽量靠近，将数字电路、模拟电路及电源电路分别放置，将高频电路与低频电路分开。易产生噪声的器件、小电流电路、大电流电路等应尽量远离逻辑电路。对时钟电路和高频电路等主要干扰和辐射源应单独安排，远离敏感电路。输入输出芯片要位于接近混合电路封装的I/O出口处。
高频元器件尽可能缩短连线，以减少分布参数和相互间的电磁干扰，易受干扰元器件不能相互离得太近，输入输出尽量远离。震荡器尽可能靠近使用时钟芯片的位置，并远离信号接口和低电平信号芯片。元器件要与基片的一边平行或垂直，尽可能使元器件平行排列，这样不仅会减小元器件之间的分布参数，也符合混合电路的制造工艺，易于生产。
在混合电路基片上电源和接地的引出焊盘应对称布置，最好均匀地分布许多电源和接地的I/O连接。裸芯片的贴装区连接到最负的电位平面。
