●共模电感的绕制
共模扼流圈中的负载电流产生的磁场相互抵销，因此磁芯不会饱和。
●磁珠阻抗
注意：共模电感和磁珠 需要测量温升!!
拓扑EMI 分析举例
Flyback 架构EMI 分析
●Flyback架构的高频等效模型
●Noise 源：
大的di/dt和dv/dt 产生的地方，对Flyback架构来说，会产生这些变化的主要有：
★变压器TX1；
★MOSFET Q1 ；
★输出二极管D1；
★芯片的RC振荡；
★驱动信号线；
Q1 上 Vds 的波形
MOSFET 动作时产生的Noise ：如 上图所示，主要来自三个方面：
①Mosfet开通、关断时，具有很宽的频谱含量，开关频率的谐波本身就是较强的干扰源。
②关断时的振荡 1产生较强的干扰。
③关断时的振荡 2产生较强的干扰。
开关管 Q1关断，副边二极管D1导通时（带载），原边的励磁电感被钳制，原边漏感Lep的能量通过Q1的寄生电容Cds进行放电，主放电回路为Lep—Cds—Rs—C1—Lep，此时产生振荡振荡的频率为：
在Lep上的振荡电压Vlep迭加在2Vc1上，致使Vds=2Vc1+Vlep 。振荡的强弱，将决定我们选取的管子的耐压值、电路的稳定性。
量测Lep=6.1uH, Q1为2611查规格书可得Coss=190pF（Coss近似等于Cds）,而此充电板为两个管子并联，所以Cds=380pF 。由上式可求得f =3.3 MHz，和下图中的振荡频率吻合。
从图中可看出 此振荡是一衰减的振荡波，其初始的振荡峰值决定于振荡电路的Q值：Q值越大，峰值就越大。Q值小，则峰值小。为了减小峰值，可减小变压器的漏感Lep,加大Cds和电路的阻抗R。而加入Snubber电路是 极有效之方法。
