振荡2发生在Mosfet Q1关断，副边二极管由通转向关断，原边励磁电感被释放(这时Cds被充至2Vc1)，Cds和原边线圈的杂散电容Clp为并联状态，再和原边电感Lp（励磁电感和漏感之和）发生振荡。放电回路同振荡1。振荡频率为：
在Lp上的振荡电压Vlp迭加在Vc1上，致使Vds=Vc1+Vlp 。量测Lp=0.4mH；Q1为2611，查规格书可得Coss=190pF（Coss近似等于Cds）,而此充电板为两个管子并联，所以Cds=380pF；Clp在200KHz时测得为Clp=1.6nF。由上式可求得：f =178.6KHz，和下图中190.5K吻合。
●我们可实行的改善措施有两个：
★1、减小Noise的大小；
★2、切断或改善传播途径。
1.减小Noise 的大小：
首先考虑以下三个方面：
①Mosfet、Diode动作时，具有很宽的频谱含量，开关频率的谐波本身就是较强的干扰源。
措施：在满足所要求的效率、温升条件下，我们可尽量选开关较平缓的管子。而通过调节驱动电阻也可达到这一目的。
②Q1、D1 的振荡 1会产生较强的干扰。
措施：
*对寄生电容Cds、Cj 的处理：在Q1的ds极、二极管的两端各并上一681小电容，来降低电路的Q 值，从而降低振荡的振幅A，同时能降低振荡频率f。需注意的是：此电容的能量1/2Cu2将全部消耗在Q1上，所以管子温升是个问题。解决的办法是使用RC snubber, 让能量 消耗在 R上。同时R能起到减小振幅的作用。
*对变压器的漏感Le的处理：
1、变压器采用 三明治 绕法，以减小漏感。
2、在变压器的绕组上加吸收电路。
3、减小Q1 D极到变压器的引线长度。（此引线电感和漏感相迭加）采取上述 措施降低振荡 1的影响之后得下图。
③： Q1 D1 上的振荡 2 会产生较强干扰。
分析方法和②相同，但此时 电感已变得很大了（主要为为励磁电感），因此漏感和引线电感对③的影响相对较小。
同样从上面的分析中，可看出Nosie 的传播途径主要是通过变压器的杂散电容Ctx；
Mosfet/Diode到散热片的杂散电容Cm/Cd；及散热片到地的杂散电容Ce等途径而耦合到LISN被取样电阻所俘获。
