措施一：在Rs的地端和C2的地间接一个Y电容（４７２）。
原理分析：它的作用是双重的，一是为Mosfet动作产生且串到变压器副边的noise 电流（如I4）,提供一个低阻抗的回路，减小到地的电流。二是为二次侧Diode产生的且串到变压器原边的noise 电流提供低阻抗回路，从而减小流过LISN的电流。
其效果如下图：红色为：未改善之前；蓝色为：采取措施之后
措施二：变压器加法拉第铜环：
变压器是Noise传播的主要通道之一，其中初级线圈和次级线圈间杂散电容Ctx是重要因素。而在变压器内部加法拉第铜环是减小Ctx 的有效的方法之一。
措施三：散热片接Rs的地端：
目的为了将 散热片－Ce—地－LISN这一支路 旁路掉，从而减小到地的电流。其效果如下图：可看出，在低频时较有效；在高频时， 效果不明显，这主要是因为在高频时，管脚直接对地的电容已有相当的作用。
红色为：散热片未接地；蓝色为：散热片接地
当综合上述所有措施后，EMI总效果对比如图所示：
红色为：未采取措施前；蓝色为：综合上述措施后
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