今天小编要和大家分享的是EMC,EMI设计相关信息，接下来我将从GaN功率开关会对EMI造成怎样的影响，特价台湾canny电源emi滤波器cw2b 3a 6a 10a t开关插座式净化220v这几个方面来介绍。
EMC,EMI设计相关技术文章GaN功率开关会对EMI造成怎样的影响
我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓（GaN）技术进行高功率开关组件（Switching Device）的研发。我也有幸遇到“电源完整性 --在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数（Power Integrity - Measuring， Optimizing， and Troubleshooting Power Related Parameters in Electronic Systems）”一书的作者Steve Sandler，他提出与测量这些设备的皮秒边沿（Picosecond Edge）速度相关联（可参看他文章索引的部分）。
由于这些新电源开关的快速开关速度与相关更高效率，因此我们希望看到他们能适用于开关模式电源和射频（RF）功率放大器。他们可广泛取代现有的金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET），且具有较低的“On”电阻、更小的寄生电容、更小的尺寸与更快的速度。我已注意到采用这些装置的新产品，其他应用包括电信直流对直流（DC-DC）、无线电源（Wireless Power）、激光雷达（LiDAR）和D型音频（Class D Audio）。很显然，任何半导体组件在几皮秒内切换，很可能会产生大量的电磁干扰（EMI）。
为了评估这些GaN组件，Sandler安排我来测试一些评估板。一块我选择测试的是Efficient Power Conversion的半桥（Half-bridge ）1MHz DC-DC降压转换器EPC9101（图1），请参考这块测试板上的其他信息，以及一些其他的参考部分。
图1 该演示板用于显示GaN的EMI。该GaN组件被圈定，我会在L1左侧测量切换的波形。
该演示板利用8至19伏特（V）电流，并将其转换为1.2伏20安培（A）（图2），我让它运行在与10奥姆、2瓦（W）负载、10伏特电压状态。
图2 半桥DC-DC转换器的电路图，波形在L1的左端返回处被测试
我试图用一个罗德史瓦兹（R&S）RT-ZS20 1.5 GHz的单端探头捕获边缘速率（图3），并探测L1的切换结束，不过现有测试设备的带宽限制，以至于无法忠实捕捉。我能撷取到最好的（图4）是一个1.5纳秒上升时间（其中，以EMI的角度来看，是相当快的开始！） 为准确地记录典型的300~500皮秒边缘速度将需要30 GHz带宽，或更高的示波器。
