图3 采用R&S RTE1104示波器和RT-ZS20 1.5 GHz的单端探头测量前缘
图4 捕获的上升时间显示为217MHz，其显示最快边缘速度为1.5纳秒
但事实上，是在带宽限制下测量EMI的发生
虽然没能捕捉到实际的上升时间，我在217MHz频率做了评估提醒铃声。正如你稍后将看到的，当我们开始在频域寻找时，该谐振在带宽中产生EMI，并导致一个峰值。无论是信号接脚和接地回路连接到R＆S RT-ZS20探头，路径都非常短，所以提醒铃声并不是由探针造成，而是电路的寄生共振。
接下来，我量测在电源输入电缆传导的EMI，且透过负载电阻显示EMI传导特征（图5）。
图5 用Fischer F-33-1电流探头进行高频电流的测试
图6显示，整个9k~30MHz的传导发射频段有非常高的1MHz谐波，且都发生在大约9MHz的间隔谐波上，且有些我还不确定其原生处。这些谐波在负载电阻电路上特别高，我怀疑若没有良好质量的线性滤波器，这EMI的数值可能会使传导辐射符合性的测试失败。
用Fischer F-33-1电流探头测量的电源输入缆线中的高频电流（紫线），以及10奥姆负载电阻（蓝线）。黄线是环境噪声位准，在约9 MHz的谐波顶部发生1 MHz的开关尖峰突出。从我的经验来看，蓝色线的位准令人担忧，且可能造成传导辐射测试的失败。
然后将带宽从9KHz拓展到1GHz以便观察谐波可以到多远，然而才约600兆赫就开始渐行渐远。请参看图7。
用Fischer F-33-1电流探头测量的电源输入缆线中的传导辐射（紫线），以及10奥姆负载电阻（蓝线），黄线是环境噪声测量。辐射所有的出现都在600MHz，须注意共鸣约在220MHz。
最后，我用R&S RS H 400-1 H场（H-field）探针（图8）来量测GaN组件附近的近场和通过负载电阻器的高频电流（图9）。
图8
使用R＆S RS h400-1 H场探针测量接近GaN开关装置近场辐射
图9
H场探针测试结果。黄线是环境噪声位准，紫线是GaN组件附近的测量，蓝线则是在10奥姆的负载电阻，辐射终于在约800MHz处逐渐减少。
