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连接器相关技术文章解析连接器半导体材料之氮化镓（GaN）篇
半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，其中半导体材料市场的60％都是芯片制造材料，以硅晶圆和光掩膜为主，此外还有湿化学试剂、溅射靶等。但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长。
一开始，日本是世界最大的半导体材料市场，随后中国台湾、韩国等地区也逐渐开始崛起，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。
第三代半导体材料崛起
如今，半导体材料已经发展到第三代，逐代来看：第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体材料为代表。其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率晶体管和探测器中，在未来一段时间，硅半导体材料的主导地位仍将存在。但是硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频电子器件上的应用，如其间接带隙的特点决定了它不能获得高的电光转换效率。且其带隙宽度较窄（1．12 eV）饱和电子迁移率较低（1450 cm2／V·s），不利于研制高频和高功率电子器件。
第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟（InP）为代表。砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍，具有直接带隙，故其器件相对硅器件具有高频、高速的光电性能，公认为是很合适的通信用半导体材料。同时，其在军事电子系统中的应用日益广泛且不可替代。然而，其禁带宽度范围仅涵盖了1．35 eV（InP）～2．45 eV（AlP），只能覆盖波长506～918 nm的红光和更长波长的光，而无法满足中短波长光电器件的需要。由于第二代半导体材料的禁带宽度不够大，击穿电场较低，极大的限制了其在高温、高频和高功率器件领域的应用。另外由于GaAs材料的毒性可能引起环境污染问题，对人类健康存在潜在的威胁。
