3.5 Flash擦除操作
Flash在SEC_ERASE和CHIP_ERASE状态可以完成擦除操作的时序转化。
进入擦除操作需要CPU执行两步总线写操作，第一步，配置擦除模式，第二步，总线写操作给出擦除地址，对于扇区擦除，总线写操作地址即是擦除地址，片擦除可以是任意地址。
以扇区擦除为例，详细的步骤是：
（1）配置扇区擦除模式，READ状态跳转到WAIT_WR状态；
（2）在WAIT_WR状态，向目的扇区地址发起AHB总线写，状态机跳转到SEC_ERASE状态，同时锁定总线的写地址，提取待擦除的扇区地址，然后hready信号拉低，进行扇区擦除时序转化；
（3）在SEC_ERASE状态，ERASE信号拉高，WEB信号拉低，ERASE信号持续时间达到配置Thv的值时，状态机跳到TRCV_E，之后TRW，返回READ态。
举例：以图15为例说明Flash扇区擦除时序。比如擦除0x00_8004扇区（CPU地址为0x0002_0010）。write_sfr_valid信号（配置SEC_ERASE模式脉冲）触发READ状态跳到WAIT_WR状态，然后write_valid 信号（AHB总线写0x0002_0010地址）触发WAIT_WR状态跳到SEC_ERASE，开始时序转化。
3.6 Flash自编程操作
Flash自编程操作即是Flash写程序在Flash内部执行，同时对Flash其他区域进行扇区擦除和写操作的过程。
CPU每执行一条指令的操作一般分为取指令、分析指令、执行指令。转化为对Flash的操作就是读或写。利用写Flash操作之后hready拉低，锁定总线，进行Flash读写时序转化。
扇区擦除操作的分解步骤如下：
（1）（READ状态）读Flash操作取指令；
（2）发起总线写操作，配置扇区擦除模式寄存器（从READ跳转到WAIT_WR）；
（3）（WAIT_WR状态）读Flash操作取指令；
（4）发起总线写操作（从WAIT_WR跳转到PROG）；
（5）hready拉低，锁定总线，同时从总线写地址高bit提取Flash扇区地址（当前总线写数据不必关心），然后发起扇区擦除时序转化；
（6）（从PROG跳转到TRCV_E，然后TRW，返回READ）hready拉高，释放总线，返回步骤（1）。
写操作的分解步骤如下：
（1）（READ状态）读Flash操作取指令；
（2）发起总线写操作，配置写模式寄存器（从READ跳转到WAIT_WR）；
（3）（WAIT_WR状态）读Flash操作取指令；
（4）发起总线写操作（从WAIT_WR跳转到PROG）；
（5）hready拉低，锁定总线，同时锁定总线当前地址作为写地址，利用hready拉低AHB总线数据扩展周期期间写数据不变原理锁定当前写数据，发起word写时序转化；
