今天小编要和大家分享的是模拟技术相关信息，接下来我将从在应用中功率MOSFET器件的基本参数分析，mosfet技术资料infineon-mosfet-datasheet ipi90r340这几个方面来介绍。
模拟技术相关技术文章在应用中功率MOSFET器件的基本参数分析
在汽车电子的驱动负载的各种应用中，最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。
数据表中的参数分为两类：即最大额定值和电气特性值。对于前者，在任何情况下都 不能超过，否则器件将永久损害；对于后者，一般以最小值、最大值、和典型值的形式给出，它们的值与测试方法和应用条件密切相关。在实际应用中，若超出电气特性值，器件本身并不一定损坏，但如果设计裕度不足，可能导致电路工作失常。
在功率MOSFET的数据表给出的参数中， 通常最为关心的基本参数为Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs和Vgs。更为高级一些的参数，如ID、Rthjc、SOA、Transfer Curve、EAS等，将在本文的下篇中再做介绍。
为了使每个参数的说明更具备直观性和易于理解，选用了英飞凌公司的功率MOSFET，型号为IPD90N06S4-04。本文中所有的表格和图表也是从IPD90N06S4-04中摘录出来的。下面就对这些参数做逐一的介绍。
Rds（on）： 通态电阻。Rds（on）是和温度和Vgs相关的参数，是MOSFET重要的参数之一。在数据表中，给出了在室温下的典型值和最大值，并给出了得到这个值的测试条件，详见下表。
除了表格以外，数据表中还给出了通态电阻随着结温变化的数据图。从图中可以看出，结温越高，通态电阻越高。正是由于这个特性，当单个功率MOSFET的电流容量不够时，可以采用多个同类型的功率MOSFET并联来进行扩流。
如果需要计算在指定温度下的Rds（on），可以采用以下的计算公式。
