上式中a为与工艺技术有关的常数，对于英飞凌的此类功率MOSFET，可以采用0.4作为常数值。如果需要快速的估算，可以粗略认为：在最高结温下的Rds（on）通态电阻是室温下通态电阻的2倍。下表的曲线给出了Rds（on）随环境温度变化的关系。
VBR（DSS）：定义了MOSFET的源级和漏级的最大能购承受的直流电压。在数据表中，此参数都会在数据表的首页给出。注意给出的VBR（DSS）值是在室温下的值。
此外，数据表中还会给出在全温范围内（-55℃…+175℃） VBR（DSS） 随着温度变化的曲线。
从上表中可以看出，VBR（DSS）是随着温度变化的，所以在设计中要注意在极限温度下的VBR（DSS）仍然能够满足系统电源对VBR（DSS） 的要求。
Qgs：数据表中给出了为了使功率MOSFET导通时在给定了的Vds电压下，当Vgs变化时的栅级电荷变化的曲线。从图表中可以看出，为了使MOSFET完全导通，Vgs的典型值约等于10V，由于器件完全导通，可以减少器件的静态损耗。
Vgs：描述了在指定了漏级电流下需要的栅源电压。数据表中给出的是在室温下，当Vds=Vgs 时，漏极电流在微安等级时的Vgs 电压。数据表中给出了最小值、典型值和最大值。
需要注意的是，在同样的漏极电流下，Vgs 电压会随着结温的升高而减小。在高结温的情况下，漏极电流已经接近达到了Idss（漏极电流）。为此，数据表中还会给出一条比常温下指定电流大10倍的漏极电流曲线作为设计参考。如下图所示。
